[发明专利]一种双向对称高速过压防护器件

权利要求书

1.一种半导体过压保护器件，其特征在于，该器件包括，

NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管，和

PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管，

其中，

NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口，

PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口，

该NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口，该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口。

2.如权利要求1所述的半导体过压保护器件，其特征在于，所述NPN晶体管的发射极和集电极分别与所述NPNP晶闸管的控制极和阳极连接，所述PNP晶体管的发射极和集电极分别与所述PNPN晶闸管的控制极和阴极连接。

3.一种半导体过压保护器件，该器件包括第一保护单元和第二保护单元，

其特征在于，每一保护单元包括：

NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管，和

PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管，

所述第一保护单元中的NPNP晶闸管的阴极和PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的第一接入端口，

所述第二保护单元中的NPNP晶闸管的阴极和PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的第二接入端口，

所述第一保护单元和第二保护单元的NPN晶体管的基极电连接作为该器件的负向过压参考电位端口，

所述第一保护单元和第二保护单元的PNP晶体管的基极电连接作为该器件的正向过压参考电位端口，

所述第一保护单元的NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极以及所述第二保护单元的NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极连接至器件的接地端口。

4.如权利要求3所述的半导体过压保护器件，其特征在于，在所述第一保护单元和第二保护单元的每一个中，

所述NPN晶体管的发射极和集电极分别与所述NPNP晶闸管的控制极和阳极连接，所述PNP晶体管的发射极和集电极分别与所述PNPN晶闸管的控制极和阴极连接。

5.如权利要求1或权利要求3所述的半导体过压保护器件，其特征在于，所述NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管由在N型半导体基片（9_N）上制作的NPN晶体管区（10_N）和NPNP晶闸管区(11_N)形成，所述PNP型晶体管及由其控制的PNPN晶闸管由在P型半导体基片（9_P）上制作的PNP晶体管区（10_P）和PNPN晶闸管区（11_P）形成。

6.如权利要求5所述的半导体过压保护器件，其特征在于，所述N型半导体基片（9_N）的晶体管区（10_N）中，从上向下依次设有N型扩散层（12_N）和P型扩散层（13_N），从下向上设有N⁺扩散层（14_N），P型扩散层（13_N）与N⁺型扩散层（14_N）之间的N型半导体基片（9_N）自身的N型掺杂层（15_N），以此在N型半导体基片晶体管区自上而下构成NPN型晶体管；所述P型半导体基片（9_P）晶体管区（10_P）中，从上向下依次设有P型扩散层（12_P）和N型扩散层（13_P），从下向上设有P⁺扩散层（14_P），N型扩散层（13_P）和P⁺扩散层（14_P）之间的P型半导体基片（9_P）自身的P型掺杂层（15_P），以此在P型半导体基片晶体管区自上而下构成PNP晶体管。