[发明专利]剥离方法

说明书

技术领域

本发明涉及将光器件晶片的光器件层转移到转移基板的剥离方法，其中，所述光器件晶片是在蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面上隔着缓冲层而层叠了光器件层。

背景技术

在光器件制造工序中，在大致圆板形状的蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的表面上隔着缓冲层而层叠包含由GaN（氮化镓）或者INGaP（磷化镓铟）或ALGaN（氮化镓铝）构成的n型半导体层和p型半导体层的光器件层，并在由形成为格子状的多个间隔道划分的多个区域中，形成发光二极管、激光二极管等光器件而构成光器件晶片。然后，沿着间隔道分割光器件晶片从而制造出各个光器件（例如，参照专利文献1）。

另外，作为提高光器件亮度的技术，在下述专利文献2中公开了如下所述的称为剥离的制造方法：针对在构成光器件晶片的蓝宝石基板、碳化硅等外延基板的正面隔着缓冲层而层叠的由n型半导体层和p型半导体层形成的光器件层，隔着AuSu（金锡）等接合金属层接合转移基板，从外延基板的背面侧照射透射过外延基板并由缓冲层吸收的波长（例如248mn）的激光光线来破坏缓冲层，从光器件层剥离外延基板，从而将光器件层转移到转移基板。

【专利文献1】日本特开平10-305420号公报

【专利文献2】日本特开2004-72052号公报

然而，虽然从外延基板的背面侧将聚光点定位于缓冲层而照射激光光线时，构成缓冲层的GaN或者INGaP或ALGaN分解为Ga和N₂等气体，由此来破坏缓冲层，但如果存在外延基板的厚度偏差、缓冲层的厚度偏差，则存在GaN或者INGaP或ALGaN分解为Ga和N₂等气体的区域、和未分解的区域，在缓冲层的破坏中发生不均匀而存在无法适当地剥离外延基板的问题。

另外，在为了提高光器件的品质而在外延基板的表面上形成了凹凸的情况下，激光光线被凹凸的壁所遮挡而抑制了缓冲层的破坏，存在外延基板的剥离变得困难的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于，提供能够均匀地破坏缓冲层，可靠地剥离外延基板的剥离方法。

为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种剥离方法，将光器件晶片的光器件层转移到转移基板，所述光器件晶片是在外延基板的正面隔着由含有Ga的Ga化合物构成的缓冲层而层叠了光器件层，其特征在于，该剥离方法包括：

转移基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的表面上隔着接合金属层而接合转移基板；

缓冲层破坏工序，从接合有转移基板的光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射对于外延基板具有透射性且对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及

光器件层转移工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，从光器件层剥离外延基板而将光器件层转移到转移基板上，

该缓冲层破坏工序包括：Ga层形成工序，照射具有第1输出的脉冲激光光线，使得Ga从Ga化合物中析出而在外延基板与缓冲层之间的边界面处形成Ga层；以及气体层形成工序，照射具有比该第1输出高的第2输出的脉冲激光光线来破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层。

将具有上述第1输出的脉冲激光光线的能量密度设定为0.125～0.5J/cm²，将具有上述第2输出的脉冲激光光线的能量密度设定为0.55～1.OJ/cm²。

在本发明的剥离方法中，缓冲层破坏工序从外延基板的背面侧向缓冲层照射对于外延基板具有透射性并对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，来破坏缓冲层，该缓冲层破坏工序包括：Ga层形成工序，其照射具有第1输出的脉冲激光光线，使得Ga从Ga化合物中析出而在外延基板与缓冲层之间的边界面处形成Ga层；以及气体层形成工序，照射具有比该第1输出高的第2输出的脉冲激光光线而破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层，因此，在Ga层与外延基板之间均匀地形成了气体层，从而使得由缓冲层实现的外延基板与光器件层的结合功能完成丧失。因此，通过向背离转移基板的方向提起外延基板，能够容易地从光器件层剥离外延基板。因此，即使在外延基板的表面上形成有凹凸的情况下，也能够利用Ga层与外延基板之间形成的气体层，使得由缓冲层实现的外延基板与光器件层的结合功能完全丧失，从而能够容易地从光器件层剥离外延基板。

附图说明

图1是形成有待通过本发明的剥离方法转移到转移基板的光器件层的光器件晶片的立体图和要部放大剖视图。