[发明专利]光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法

权利要求书

1.一种光电二极管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上。

2.根据权利要求1所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成光电二极管包括：

在衬底基板上形成第一本征非晶硅薄膜；

对所述第一本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的第一本征非晶硅薄膜进行活化工艺，形成P型非晶硅薄膜；

在所述P型非晶硅薄膜上形成第二本征非晶硅薄膜，用于形成I型非晶硅薄膜；

在所述I型非晶硅薄膜上形成N型非晶硅薄膜；

进行构图工艺，得到所述N型层、I型层和P型层。

3.根据权利要求2所述的光电二极管的制造方法，其特征在于，所述对所述第一本征非晶硅薄膜进行离子注入包括：

对所述第一本征非晶硅薄膜进行硼离子注入。

4.一种X射线探测器的基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管、光电二极管，所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上，所述P型层与所述薄膜晶体管的漏电极电连接。

5.根据权利要求4所述的X射线探测器的基板的制造方法，其特征在于，还包括：在衬底基板上形成电极引线，所述电极引线与所述N型层电连接。

6.根据权利要求5所述的X射线探测器的基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层图形、源电极和漏电极，所述在衬底基板上形成薄膜晶体管、光电二极管包括：

在衬底基板上形成栅电极、栅绝缘层、有源层图形和源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第一本征非晶硅薄膜；

对所述第一本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的第一本征非晶硅薄膜进行活化工艺，形成P型非晶硅薄膜；

在所述P型非晶硅薄膜上形成第二本征非晶硅薄膜，用于形成I型非晶硅薄膜；

在所述I型非晶硅薄膜上形成N型非晶硅薄膜；

在所述N型非晶硅薄膜上形成第一透明电极层；

进行构图工艺，形成第一透明电极、N型层、I型层和P型层、源电极和漏电极；

所述在衬底基板上形成电极引线包括：

形成保护层，并在保护层上形成过孔；

依次形成第二透明电极层和电极引线层，所述第二透明电极层和所述电极引线填充于所述过孔内，以使所述电极引线通过所述第二透明电极层和第一透明电极与所述N型层电连接。

7.根据权利要求5所述的X射线探测器的基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层图形、源电极和漏电极；

所述在衬底基板上形成薄膜晶体管、光电二极管包括：

在衬底基板上形成栅电极、栅绝缘层、有源层图形、源电极和漏电极；

在形成有源电极和漏电极的衬底基板上形成第一本征非晶硅薄膜；

对所述第一本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的第一本征非晶硅薄膜进行活化工艺，形成P型非晶硅薄膜；

在所述P型非晶硅薄膜上形成第二本征非晶硅薄膜，用于形成I型非晶硅薄膜；

在所述I型非晶硅薄膜上形成N型非晶硅薄膜；

在所述N型非晶硅薄膜上形成第一透明电极层；

进行构图工艺，形成第一透明电极层和光电二极管；

所述在衬底基板上形成电极引线包括：

形成保护层，并在保护层上形成过孔；

依次形成第二透明电极层、电极引线层和第二树脂层，所述电极引线通过所述第二透明电极层和第一透明电极与所述N型层电连接。

8.根据权利要求6或7所述的X射线探测器的基板的制造方法，其特征在于，所述对所述第一本征非晶硅薄膜进行离子注入包括：

对所述第一本征非晶硅薄膜进行硼离子注入。

9.一种光电二极管，其特征在于，包括：N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上。

10.一种X射线探测器的基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上，所述光电二极管的N型层与所述薄膜晶体管电连接。