[发明专利]一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法

权利要求书

1.一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于，包括下述步骤：

（1）SiC陶瓷的磨平、抛光； 

（2）SiC陶瓷的清洗；

（3）离子注入Mo：将上述清洗后的SiC陶瓷置于离子注入装置，用Ar离子再次清洗试样30 min，然后注入Mo离子。

2.一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于，包括下述步骤：

（1）SiC陶瓷的磨平、抛光； 

（2）SiC陶瓷的清洗；

（3）离子注入Mo：将上述清洗后的SiC陶瓷置于离子注入装置，用Ar离子再次清洗试样30 min，随后注入Mo离子；

(4) 高温热处理：将离子注入Mo后的SiC陶瓷置于高温真空炉中，抽真空至≤10^-2Pa或抽真空至≤10^-2Pa后再通入高纯Ar，加热到1300-1400℃，保温30-60min，最后冷却至室温，取出。

3.如权利要求1或2所述的一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于：所述SiC陶瓷的磨平、抛光的步骤为：采用自动研磨机或人工依次经过200#、400#、800#和1200#磨盘或砂纸进行磨平，再采用金刚石抛光膏或抛光剂抛光或进行化学机械抛光；纳米SiO₂在KOH中的悬浮液的质量浓度为5~15 %。

4.如权利要求1或2所述的一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于：所述SiC陶瓷的清洗的步骤为：先采用稀碱或稀酸溶液对抛光后的陶瓷试样进行清洗，再用蒸馏水冲洗，然后用无水乙醇或丙酮超声清洗，并吹干或风干；所述稀碱溶液为NaOH溶液，浓度为0.1~0.5 mol/L；稀酸溶液HCl溶液，浓度为0.1~0.5 mol/L。

5.如权利要求1或2所述的一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于：所述的离子注入Mo工艺为：等离子体弧电流I = 120 A，引出栅脉冲电压V1 = 20kV，频率f = 10Hz, 注入时间为25min，金属离子能量为35KeV，等效注入剂量为10¹⁷ ion/ cm²。

6.如权利要求1或2所述的一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法，其特征在于：所述金属包括Ni、Sn、Pd、Ag、Cu、Co及其合金；所述的SiC陶瓷包括SiC陶瓷烧结体和SiC单晶。