[发明专利]一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法是按以下步骤进行的:

一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料:按重量份数称取70~90份的二硼化锆粉末和30~10份的碳化硅粉末，并将二硼化锆粉末与碳化硅粉末进行球磨湿混，得到料浆，然后将所得料浆通过旋转蒸发器在温度为50°C~90°C条件下干燥1小时~4小时，得到烘干后的混合粉料，最后将得到的烘干后的混合粉料在真空或惰性气体气氛下于1700°C~l900°C温度下热压烧结，热压压力为3OMPa，保温时间为20分钟~60分钟，自然冷却至室温后取出，即得二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;

二、氧化抑制处理:将步骤一制备的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料置于氧化抑制处理装置中，充入纯氧或空气，控制气体流量为lmL/min~500mL/min，然后通过氧化抑制处理装置的流量计(1)和真空泵(10)控制氧化抑制处理装置反应室中的气体压力为lPa~10000Pa，最后利用氧化抑制处理装置的电磁感应加热设备将二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料加热至1400°C-1700°C，然后进行保温，保温时间为1分钟~180分钟，即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述的二硼化锆粉末的粒径小于10微米;步骤一中所述的碳化硅粉末的粒径小于10微米。

3.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤一中所述的惰性气体为氩气。

4.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中所述的氧化抑制处理装置包括流量计(1)、光学高温计(2)、氟化钙玻璃(3)、顶盖(4)、石英管(5)、氧化锆支架(6)、底盖(7)、电磁感应加热线圈(8)、压力表(9)和真空泵(10);所述的流量计(1)与顶盖(4)的进气口连通，所述的氟化钙玻璃(3)镶嵌在顶盖(4)中使光线能从石英管(5)内部透出，顶盖(4)密封连接在石英管(5)的上端，底盖(7)密封连接在石英管(5)的底端，氧化锆支架(6)设置在石英管(5)内部且与氧化锆支架(6)顶端处相对应位置处的石英管外表面上设置有电磁感应加热线圈(8)，所述的真空泵(10)通过压力表(9)与底盖(7)的出气口连通。

5.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中控制气体流量为5mL/min~500mL/min。

6.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中通过氧化抑制处理装置的流量计(1)和真空泵(10)控制氧化抑制装置反应室中的气体压力为100Pa~5000Pa。

7.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中利用氧化抑制处理装置的电磁感应加热设备将二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料加热至1500°C~1700°C。

8.根据权利要求1所述的一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤二中保温时间为20分钟~60分钟。