[发明专利]一种照明开关控制电路及灯具有效

专利信息
申请号: 201310140543.9 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN104113956A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 周明杰;管伟芳 申请(专利权)人: 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 照明 开关 控制电路 灯具
【权利要求书】:

1.一种照明开关控制电路,其特征在于,所述照明开关控制电路包括:

电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、限流电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、第一开关管、第二开关管、按键S1和发光二极管LED;

所述第一开关管的高电位端接电源,所述第一开关管的低电位端通过限流电阻R6接发光二极管LED的阳极,所述发光二极管LED的阴极接地,所述电阻R1连接在第一开关管的高电位端与控制端之间,所述电阻R2的第一端接第一开关管的控制端,所述电阻R2的第二端接第二开关管的高电位端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的控制端接稳压管ZD1的阳极,所述稳压管ZD1的阴极通过电阻R5接第一开关管的低电位端,所述电阻R7和电容C2并联在所述第二开关管的控制端和低电位端之间,所述电阻R3、按键S1和电阻R4依次串接所述电阻R2的第二端与稳压管ZD1的阴极之间,所述电容C1连接在所述电阻R3和按键S1的公共连接端与地之间。

2.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用P型MOS管Q1,所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端,所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的高电位端,所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用PNP型三极管Q3,所述PNP型三极管Q3的基极为第一开关管的控制端,所述PNP型三极管Q3的发射极为第一开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q3的集电极为第一开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第二开关管的低电位端。

6.一种灯具,包括照明开关控制电路,其特征在于,所述照明开关控制电路包括:

电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、限流电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、第一开关管、第二开关管、按键S1和发光二极管LED;

所述第一开关管的高电位端接电源,所述第一开关管的低电位端通过限流电阻R6接发光二极管LED的阳极,所述发光二极管LED的阴极接地,所述电阻R1连接在第一开关管的高电位端与控制端之间,所述电阻R2的第一端接第一开关管的控制端,所述电阻R2的第二端接第二开关管的高电位端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的控制端接稳压管ZD1的阳极,所述稳压管ZD1的阴极通过电阻R5接第一开关管的低电位端,所述电阻R7和电容C2并联在所述第二开关管的控制端和低电位端之间,所述电阻R3、按键S1和电阻R4依次串接所述电阻R2的第二端与稳压管ZD1的阴极之间,所述电容C1连接在所述电阻R3和按键S1的公共连接端与地之间。

7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用P型MOS管Q1,所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端,所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的高电位端,所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的低电位端。

8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

9.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用PNP型三极管Q3,所述PNP型三极管Q3的基极为第一开关管的控制端,所述PNP型三极管Q3的发射极为第一开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q3的集电极为第一开关管的低电位端。

10.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第二开关管的低电位端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司,未经深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310140543.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top