[发明专利]一种照明开关控制电路及灯具有效
申请号: | 201310140543.9 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN104113956A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 周明杰;管伟芳 | 申请(专利权)人: | 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 照明 开关 控制电路 灯具 | ||
1.一种照明开关控制电路,其特征在于,所述照明开关控制电路包括:
电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、限流电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、第一开关管、第二开关管、按键S1和发光二极管LED;
所述第一开关管的高电位端接电源,所述第一开关管的低电位端通过限流电阻R6接发光二极管LED的阳极,所述发光二极管LED的阴极接地,所述电阻R1连接在第一开关管的高电位端与控制端之间,所述电阻R2的第一端接第一开关管的控制端,所述电阻R2的第二端接第二开关管的高电位端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的控制端接稳压管ZD1的阳极,所述稳压管ZD1的阴极通过电阻R5接第一开关管的低电位端,所述电阻R7和电容C2并联在所述第二开关管的控制端和低电位端之间,所述电阻R3、按键S1和电阻R4依次串接所述电阻R2的第二端与稳压管ZD1的阴极之间,所述电容C1连接在所述电阻R3和按键S1的公共连接端与地之间。
2.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用P型MOS管Q1,所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端,所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的高电位端,所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的低电位端。
3.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
4.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第一开关管采用PNP型三极管Q3,所述PNP型三极管Q3的基极为第一开关管的控制端,所述PNP型三极管Q3的发射极为第一开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q3的集电极为第一开关管的低电位端。
5.如权利要求1所述的照明开关控制电路,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第二开关管的低电位端。
6.一种灯具,包括照明开关控制电路,其特征在于,所述照明开关控制电路包括:
电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、限流电阻R6、电阻R7、电容C1、电容C2、稳压管ZD1、第一开关管、第二开关管、按键S1和发光二极管LED;
所述第一开关管的高电位端接电源,所述第一开关管的低电位端通过限流电阻R6接发光二极管LED的阳极,所述发光二极管LED的阴极接地,所述电阻R1连接在第一开关管的高电位端与控制端之间,所述电阻R2的第一端接第一开关管的控制端,所述电阻R2的第二端接第二开关管的高电位端,所述第二开关管的低电位端接地,所述第二开关管的控制端接稳压管ZD1的阳极,所述稳压管ZD1的阴极通过电阻R5接第一开关管的低电位端,所述电阻R7和电容C2并联在所述第二开关管的控制端和低电位端之间,所述电阻R3、按键S1和电阻R4依次串接所述电阻R2的第二端与稳压管ZD1的阴极之间,所述电容C1连接在所述电阻R3和按键S1的公共连接端与地之间。
7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用P型MOS管Q1,所述P型MOS管Q1的栅极为第一开关管的控制端,所述P型MOS管Q1的源极为第一开关管的高电位端,所述P型MOS管Q1的漏极为第一开关管的低电位端。
8.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端,所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端,所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。
9.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第一开关管采用PNP型三极管Q3,所述PNP型三极管Q3的基极为第一开关管的控制端,所述PNP型三极管Q3的发射极为第一开关管的高电位端,所述PNP型三极管Q3的集电极为第一开关管的低电位端。
10.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述第二开关管采用N型MOS管Q4,所述N型MOS管Q4的栅极为第二开关管的控制端,所述N型MOS管Q4的漏极为第二开关管的高电位端,所述N型MOS管Q4的源极为第二开关管的低电位端。
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