[发明专利]193纳米P光大角度减反射薄膜元件及其制备方法

权利要求书

1.193纳米P光大角度减反射薄膜元件，其特征在于，该薄膜元件包括：

在CaF₂基底上依次交替形成的MgF₂薄膜层和LaF₃薄膜层；MgF₂薄膜层共为四层，LaF₃薄膜层共为三层，每层LaF₃薄膜层的厚度为29.7-30.3nm。

2.根据权利要求1所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件，其特征在于，最上层的MgF₂薄膜层的厚度为2.2nm。

3.根据权利要求1所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件，其特征在于，所述的MgF₂薄膜层和LaF₃薄膜层均通过真空热沉积的方法形成。

4.根据权利要求1所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件，其特征在于，所述的薄膜元件的膜系从下到上依次为43.7nm厚的MgF₂薄膜层，30.1nm厚的LaF₃薄膜层，50.2nm厚的MgF₂薄膜层，30.1nm厚的LaF₃薄膜层，50.3nm厚的MgF₂薄膜层，30.0nm厚的LaF3薄膜层，2.2nm厚的MgF₂薄膜层。

5.193纳米P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)选用CaF₂作为镀膜基底，采用真空热沉积方法在两块基底上分别沉积单层LaF₃薄膜层和单层MgF₂薄膜层，对单层MgF₂薄膜层和单层LaF₃薄膜层进行光学常数解析，获得单层MgF₂薄膜层和单层LaF₃薄膜层在193nm工作波段处的折射率和消光系数；

(2)对步骤(1)中进行光学常数解析后的单层LaF₃薄膜层进行厚度优化，确定单层LaF₃薄膜层在光谱指标不受影响下的最小厚度，所述的最小厚度为LaF₃薄膜层与MgF₂薄膜层组成的多层膜系中每层LaF₃薄膜层的厚度；

(3)根据步骤(2)得到的每层LaF₃薄膜层的厚度，采用真空热沉积方法在CaF₂基底上依次交替沉积MgF₂薄膜层和LaF₃薄膜层，MgF₂薄膜层共沉积四层，LaF₃薄膜层共沉积三层，三层LaF₃薄膜层的总厚度为89-91nm，得到193纳米P光大角度减反射薄膜元件。

6.根据权利要求5所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，所述的单层MgF₂薄膜层的厚度为300nm，单层LaF₃薄膜层的厚度为100nm。

7.根据权利要求5所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，最上层的MgF₂薄膜层的厚度为2.2nm。

8.根据权利要求5所述的193纳米P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，其特征在于，所述的真空热沉积方法对基底的加热温度为300℃，沉积速率为0.6nm/s。