[发明专利]流体喷射设备中的旁路流体循环

权利要求书

1.一种流体喷射设备，包括：

流体歧管，其包括流体供应室和流体返回室；

基板，其耦合到所述流体歧管，所述基板限定流动路径，所述流动路径包括用于接收流体的流动路径入口、用于喷射流体液滴的喷嘴以及用于引导走未喷射流体的流动路径出口；以及

流体分配结构，其设置在所述流体歧管与所述基板之间，所述流体分配结构包括：

流体供应通道，其包括流体地耦合到所述流体供应室的供应入口和流体地耦合到所述流动路径的供应出口；以及

流体旁路通道，其包括流体地耦合到所述流体供应室的旁路入口、流体地耦合到所述流体返回室的旁路出口、以及在所述旁路入口与所述旁路出口之间向所述流体旁路通道提供补充流动阻力的流动抑制器，所述流动抑制器包括收敛-发散式狭道区段。

2.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体分配结构还包括流体返回通道，所述流体返回通道包括流体地耦合到所述流动路径的返回入口和流体地耦合到所述流体返回室的返回出口。

3.如权利要求2所述的流体喷射设备，其中，所述流体旁路通道和所述流体返回通道平行连接到所述流体返回室。

4.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体分配结构包括插入层，且其中，所述流体旁路通道是在所述插入层的底表面中的凹槽。

5.如权利要求4所述的流体喷射设备，其中，所述供应入口、所述旁路入口以及所述旁路出口是在所述插入层的顶表面中的孔。

6.如权利要求5所述的流体喷射设备，其中，所述旁路入口的孔小于所述供应入口的孔。

7.如权利要求4所述的流体喷射设备，其中，所述插入层的顶表面包括暴露于所述流体供应室的供应侧和暴露于所述流体返回室的返回侧。

8.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体分配结构是单块硅体。

9.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体旁路通道和所述流体供应通道平行连接到所述流体供应室。

10.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体旁路通道是由所述流体分配结构限定的多个流体旁路通道之一。

11.如权利要求10所述的流体喷射设备，其中，所述多个流体旁路通道配置成接收穿过所述流体供应室的大部分流体流。

12.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述流体旁路通道布置成接收来自所述流体供应室的流体，且其中，所述流动抑制器配置成调节穿过所述流体旁路通道的流体的流速，以便实现预定的有效热阻。

13.如权利要求12所述的流体喷射设备，还包括耦合到所述基板以使流体液滴从所述喷嘴喷射的致动器和配置成控制所述致动器的电路，且其中，所预定的有效热阻足以耗散由所述电路和所述致动器在使用期间产生的热，使得所述基板的温度上升小于预定阈值。

14.如权利要求13所述的流体喷射设备，其中，所述预定阈值为大约二摄氏度或更小。

15.如权利要求1所述的流体喷射设备，其中，所述旁路入口相对于所述供应入口在所述流体分配结构的表面上横向移位，使得所述旁路入口比所述供应入口更接近于所述表面的横向边缘。

16.一种用于使流体在流体喷射设备中循环的方法，包括：

使第一流体流从流体供应室流动到流体供应通道，所述流体供应通道形成在耦合到所述流体供应室的流体分配结构上；

使所述第一流体流从所述流体供应通道流动到耦合到所述流体分配结构的基板的流动路径，所述流动路径包括用于接收流体的流动路径入口、用于喷射流体液滴的喷嘴和用于引导走未喷射流体的流动路径出口；以及

与使所述第一流体流流动同时地，使第二流体流从所述流体供应室流动到流体旁路通道，所述流体旁路通道包括向所述流体旁路通道提供补充流动阻力的流动抑制器，所述流动抑制器包括收敛-发散式狭道区段。

17.如权利要求16所述的方法，其中，使所述第二流体流流动包括使所述第二流体流穿越所述流动抑制器流动，所述流动抑制器调节所述第二流体流的流速。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第二流体流的流速足以实现预定的热阻。