[发明专利]一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，该陶瓷材料的组成表达式为：Bi_1-x/3(Mo_xV_1-x)O₄，其中0.02≤x≤0.95。

2.根据权利要求1所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述的陶瓷中，Bi³⁺离子占据A位，V⁵⁺和Mo⁶⁺构成的复合离子占据B位。

3.根据权利要求1所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料的微波介电常数ε_r=24.5～74，谐振频率温度系数TCF=-380～+135ppm/°C，高品质因数Qf=7200～10700GHz。

4.一种如权利要求1所述的钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将原料Bi₂O₃、MoO₃和V₂O₅按组成通式Bi_1-x/3(Mo_xV_1-x)O₄混合，其中0.02≤x≤0.95；

2）将混合后的原料充分球磨，球磨后烘干、过筛并压制成块状体，然后在600～700℃下保温4～10h，得到样品烧块；

3）将样品烧块粉碎，充分球磨后烘干，然后在600～700℃下保温4～10h，得到二次样品烧块；

4）将二次样品烧块粉碎，充分球磨后烘干、造粒、过筛，将过筛后的粉末压制成型，在620～840℃下烧结2～5h，得到钼基低温烧结微波介质陶瓷材料。

5.根据权利要求4所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述的球磨为每次球磨4～6h，烘干的温度为100～160℃。

6.根据权利要求4所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤2）所述的过筛为过200目的筛网，步骤4）所述的过筛为双层过筛：过60目与120目的筛网。

7.根据权利要求4所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤4）所述的烧结是在空气氛围下的烧结。

8.根据权利要求4所述的一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤4）所述的压制成型是压制成圆柱状。