[发明专利]一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管

权利要求书

1.一种双材料异质栅场效应管，其特征在于该场效应管是一种双材料异质栅结构，该双材料异质栅由第一种导电金属材料（1）和第二种导电金属材料（2）构成，其中用本征石墨烯材料（5）作为导电沟道，导电沟道的两侧与两个栅电极（V_G）间分别用同种电介质材料氧化层(3)填充，且两个栅电极以沟道为中心形成对称结构；在本征石墨烯材料（5）的两端分别为underlap区域（7），underlap区域（7）与源极（V_S）间是源区（4），underlap区域（7）与漏极（V_D）间是漏区（6），氧化层（3）位于源区（4）、本征石墨烯材料（5）、漏区（6）、underlap区域（7）的外侧，该场效应管的源区（4）和漏区（6）为n型重掺杂的石墨烯，underlap区域（7）为线性掺杂，                                               其中为源漏区的掺杂浓度，为underlap区域的长度，为开始的源漏区的掺杂浓度，C为掺杂线性变化的系数，其中C >0，underlap区域中掺杂的浓度随着长度的增加而减小。

2.根据权利要求1所述的两种材料异质栅线性掺杂石墨烯场效应管，其特征在于所述的双材料异质栅为两种功函数不同的导电金属材料构成的异质栅，两种材料沿沟道方向依次分布，它们的功函数分布如下：功函数的分布从靠近源区（4）的一侧到靠近漏区（6）的一侧逐步降低，保证靠近漏区（6）一侧的功函数小于靠近源区（4）一侧的功函数。

3.根据权利要求1所诉的两种材料异质栅线性掺杂石墨烯场效应管，其特征在于：在underlap区域（7）进行了线性掺杂，underlap区域中掺杂的浓度随着长度的增加而减小。