[发明专利]一种复合式化学气相沉积碳化硅装置

权利要求书

1.一种复合式化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于包括用于进行化学气相沉积的主反应炉以及用于消除多余三氯甲基硅烷的辅反应炉，主反应炉与辅反应炉有连通管道，辅反应炉直接与真空系统相连通。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的主反应炉采用电阻加热方式，沉积时的温度范围为900℃～1600℃。

3.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的辅反应炉采用感应加热方式，工作时温度范围为1800℃～2500℃。

4.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的辅反应炉内装有填充物，填充物为多孔碳纤维毡。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的连通管道为分离式组合结构，通过法兰连接，管道中有保温碳毡，管道外包覆有保温绝热气凝胶毡或玻璃棉毡。

6.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的真空系统由两台并联工作的真空泵组成。

7.根据权利要求1所述的化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于所述的主反应炉可为一台，两台或三台，每台主反应炉均与辅反应炉之间单独连通。