[发明专利]抗辐照红外焦平面探测器读出电路

权利要求书

1.一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，包括：

在红外焦平面读出电路设计过程中，对辐照敏感电路采用抗辐照金属氧化物半导体器件结构，减少总剂量效应带来的器件阈值漂移，阻断源级与漏级边缘漏电通路，并对重要电路采用P型隔离环在物理上阻断金属氧化物半导体器件结构之间的漏电通路。

2.根据权利要求1所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构为环栅结构和环源结构。

3.根据权利要求2所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，

当所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构在设计中宽长比大于或等于2.5时，采用所述环栅结构；

当所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构在设计中宽长比小于2.5时，采用所述环源结构。

4.根据权利要求2或3所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述环栅结构减少总剂量效应所带来的所述金属氧化物半导体器件的阈值漂移，并将所述金属氧化物半导体器件结构的源极与漏极分离，阻断所述金属氧化物半导体器件结构的源极与漏极之间的边缘漏电通路。

5.根据权利要求2或3所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述环源结构减少总剂量效应带来的所述金属氧化物半导体器件的阈值漂移，并改变所述金属氧化物半导体器件结构的场氧隔离位置，阻断所述金属氧化物半导体器件结构的源级与漏极之间的边缘漏电通路。

6.根据权利要求1或2所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述辐照敏感电路包括：焦平面像素阵列电路、列模拟处理电路、输出缓冲电路或者输入输出静电保护电路。

7.根据权利要求1或2所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述重要电路具体包括：焦平面像素阵列电路、列模拟处理电路、输出缓冲电路或者模拟输入输出静电保护部位电路。

8.根据权利要求1或2所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述环栅结构为正方形、八角形和正方形切成45度角。

9.根据权利要求8所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述正方形切成45度角的环栅结构的宽长比计算公式为：

(WL)eff=42αlnd′d′-2αL+2K1-α12α2+2α+5ln1α+3d-d′2L;]]>

其中，为整个所述环栅结构的宽长比，d为倒角前所述环栅结构的边长，d′为倒角后所述环栅结构的边长，α为倒角调节因子，其值为0.05，K为模型提取因子，其值为4，其中，为所述环栅结构分割后T1部分的宽长比，为所述环栅结构分割后T2部分的宽长比，为所述环栅结构分割后T3部分的宽长比。

10.根据权利要求1或2所述的抗辐照红外焦平面探测器读出电路，其特征在于，所述环源结构的宽长比计算公式为：

(W0L0)eff=m×W1L1+n×(W2L2+W3L3);]]>

为整个所述环源结构的宽长比，m为栅指数量，n为拐角的数量，W₁、L₁分别为所述环源结构分割后T4部分的宽与长；W₂、L₂分别为所述环源结构分割后T5部分的宽与长；W₃、L₃分别为所述环源结构分割后T6部分的宽与长；

如果所述环源结构为单漏极，m=1，n=2，且L₁、L₂与L₃的长度相等，如果所述环源结构为双漏极结构，m=2，n=4。