[发明专利]一种同轴半波长腔体

说明书

技术领域

本发明涉及一种同轴半波长腔体，具体涉及一种星载低气压条件下功率最优的同轴半波长腔体，属于微波技术领域。

背景技术

S波段星载多工器、滤波器多选用经典的四分之波长同轴腔组成滤波单元，电场最大处集中在腔内谐振子顶端，即使谐振子做倒钝处理，对低气压功率容量也不利，低气压功率容量不超过1W。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种同轴半波长腔体，保证有较大的功率容量，并发挥最大的尺寸利用率。

一种同轴半波长腔体，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成；

所述长方体上下端面的截面尺寸为42mm×42mm，其高度为68mm，通孔的直径为21mm，且通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。

有益效果：

本发明采用最佳半波长腔结构，使腔内电场的分布最均匀，实现最大低气压功率容量。

附图说明

图1为本发明同轴半波长腔体的结构图。

具体实施方式

下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。

如附图1所示，本发明提供了一种同轴半波长腔体，该腔体为长方体，其上开有贯穿上下端面的通孔，通孔的圆心位于上下端面的对称中心点上，长方体相邻侧面之间为圆弧过渡，圆弧过渡由圆外切长方体形成。

长方体上下端面的截面尺寸为42mm×42mm，其高度为68mm，通孔的直径为21mm，通孔直径与长方体外切圆的直径比为1/1.75。

上述腔体的高度为二分之一工作波长的半波长同轴腔，在相同的同轴截面结构时，半波长同轴腔的体积比四分之同轴腔结构增加了一倍多，因此功率容量至少增加一倍以上，同时半波长腔内不存在开路端效应对电场的扰动，其内部的电场最大值位于腔内导体中段，分布均匀性相比四分之一波长腔要好的多，这一点使得该结构在增加一倍的体积的时候，带来远大于增加一倍的功率容量的好处，因此从功率容量考虑该结构比四分之一波长同轴腔具有很大的优势。

综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。