[发明专利]一种双开关降压型直流-直流转换电路

权利要求书

1.一种双开关降压型直流-直流转换电路，包括输出电容Co，其特征在于，该电路还包括电感L、二极管D1、第一开关管S1和第二开关管S2；该电路连接于一个直流输入，其中：直流输入的正端连接电感L的一端、二极管D1的阴极，电感L的另一端与第二开关管S2的一端、输出电容Co的一端相连；输出电容Co的另一端与二极管D1的阳极、第一开关管S1的一端相连接；第二开关管S2和第一开关管S1的另一端与直流输入的负端相连接；输出电容Co的两端为直流输出，与负载相连接。

2.一种双开关降压型直流-直流转换电路，包括输出电容Co，其特征在于，该电路还包括电感L、二极管D1、第一开关管S1和第二开关管S2，所述电感L是一个至少包括2个绕组的耦合电感；该电路连接于一个直流输入，其中，直流输入的正端连接耦合电感第一绕组N1的一端、二极管D1的阴极和输出电容Co的正端，耦合电感第一绕组N1的另一端与第二开关管S2的一端相连；耦合电感第二绕组N2的一端与输出电容Co的负端相连接，另一端则与二极管D1的阳极、第一开关管S1的一端相连接；第二开关管S2与第一开关管S1的另一端与直流母线的负端相连接；输出电容Co的两端为直流输出，与负载相连接。

3.根据权利要求1或2中所述的电路，其特征在于，所述第一开关管S1和第二开关管S2通过同一个电阻与直流母线的负端相连；或者，第一开关管S1和第二开关管S2分别通过一个电阻与直流母线的负端相连。

4.根据权利要求1或2中所述的电路，其特征在于，所述第一开关管S1是一个双向阻断开关，在关断状态下能够承受双向阻断电压，是下述的任意一种：MOSFET与二极管的反向串联结构、两个MOSFET的反向串联结构、IGBT与二极管的反向串联结构、两个IGBT的反向串联结构、功率三极管与二极管的反向串联结构、两个功率三极管的反向串联结构、逆阻型IGBT。

5.根据权利要求1或2中所述的电路，其特征在于，所述第二开关管S2是普通的MOSFET、IGBT或者功率三极管。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第二开关管S2是N型MOSFET，其漏极与电感L的一端相连接，源极与直流母线的负端相连接，控制端则接受控制电路的信号用于控制开关的导通和关断。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第二开关管S2在输入电压小于输出电压时进行开关动作，在输入电压大于输出电压时被关闭。