[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310143690.1 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN104124350A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;冯小明;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层,其特征在于,所述复合阴极层包括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层,
所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料,所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁;所述铯盐为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氯化铯;
所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一掺杂层中,所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0.2~0.8。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二掺杂层中,所述金属氧化物与金属的质量比为0.1~0.5:1。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一掺杂层的厚度为20~100nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第二掺杂层的厚度为200~500nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
在所述电子注入层上制备复合阴极层:先通过电子束蒸镀的方式在所述电子注入层上依次制备第一掺杂层,再通过真空蒸镀的方式在所述第一掺杂层上制备第二掺杂层,得到有机电致发光器件;
所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料,所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁;所述铯盐为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氯化铯;
所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料,所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒,所述金属为银、铝、铂或金。
所述电子束蒸镀的能量密度为10~l00W/cm2,所述第一掺杂层的材料蒸镀速率为1~10nm/s;所述真空蒸镀过程中,真空度为2×10-3~5×10-5Pa,所述第二掺杂层材料蒸镀速率为1~10nm/s。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一掺杂层中,所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0.2~0.8。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第二掺杂层中,所述金属氧化物与金属的质量比为0.1~0.5:1。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第一掺杂层的厚度为20~100nm。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述第二掺杂层的厚度为200~500nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司,未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310143690.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择