[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到器件外部，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，这是由于界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致发光器件的整体出光性能较低。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在电子注入层上制备复合阴极层，提高了有机电致发光器件的发光效率。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包括依次叠层设置的富勒烯或富勒烯衍生物层、金属酞菁化合物层和导电氧化物层，

所述富勒烯或富勒烯衍生物层的材料为C60、C70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC₆₁BM）或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（PC₇₁BM），所述金属酞菁化合物层的材料为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁钒（VPc）或酞菁镁（MgPc），所述导电氧化物层的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）。

优选地，所述富勒烯或富勒烯衍生物层的厚度为1～10nm。

优选地，所述金属酞菁化合物层的厚度为50～200nm。

优选地，所述导电氧化物层的厚度为100～500nm。

复合阴极层包括依次叠层设置的富勒烯或富勒烯衍生物层、金属酞菁化合物层和导电氧化物层。富勒烯或富勒烯衍生物容易成膜，且膜的粗糙度较低，在电子注入层之上先制备一层薄层的富勒烯或富勒烯衍生物层，可使膜平整度增加，有利于膜与膜之间的粘结，提高结合能力，对膜层有修饰作用，减少了界面缺陷的存在，然后再制备一层金属酞菁化合物层，通过膜层的结晶，结晶后链段重新排列，呈现晶体状，会使膜层表面呈现波纹状结构而不再平整，这种形状可使光进行散射，减少向器件两侧发射的光，提高光取出效率，最后制备一层由常用的阳极薄膜材料形成的导电氧化物层，这种材料功函数适中，既可作为阴极，也可作为阳极，在这里主要起到反射和导电的作用，并且为发光层提供电子，这种复合阴极最终可有效提高发光效率。

导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。

空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。

优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），空穴注入层的厚度为20～80nm。

更优选地，空穴注入层的材质为MoO₃，厚度为35nm。

优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。

更优选地，空穴传输层的材质为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为50nm。

优选地，发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5～40nm。