[发明专利]一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管有效
| 申请号： | 201310144195.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103219439A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;邢贺;张桂菊;王钦华;俞强;何舜宇 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 颗粒 阵列 偏振 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括：衬底，n型层，量子阱，p型层，其特征在于：在发光二极管芯片的p型层的出光表面上设置偏振结构，所述的偏振结构为纳米颗粒阵列光栅，其光栅的周期为60～400nm, 占空比为0.2～0.9，厚度为60～400nm。
2.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒的直径为5～200nm。
3.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒阵列的纳米颗粒堆积结构为简单立方堆积结构或密堆积结构。
4.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒的材料为金属Al、Ag、Au、Cu、Ni、Cr，或它们的合金。
5.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒的材料为半导体材料Si或ZnO。
6.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒的材料为高分子材料聚苯乙烯。
7.根据权利要求1所述的一种偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米颗粒的材料为金属硫化物。
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