[发明专利]一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料，其特征在于包括主体成分和附加成分，主体成分组成式为Pb[(Sb_2/5Nb_3/5)_xZr_yTi_1-x-y]O₃，其中0.008≤x≤0.015，0.47≤y≤0.51；附加成分为占主体成分质量百分比0.98~1.63%的SnO₂。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料，其他特征在于：所述的附加成分为占主体成分质量百分比0.98~1.12%的SnO₂。

3.一种根据权利要求1所述的低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：

3.1、按组成式Pb[(Sb_2/5Nb_3/5)_xZr_yTi_1-x-y]O₃，其中0.008≤x≤0.015，0.47≤y≤0.51中Pb、 Sb、 Nb、Zr和Ti各元素的数量比称取原料Pb₃O₄、Sb₂O₃、Nb₂O₅、ZrO₂、TiO₂进行配料，并称取占主体成分质量百分比0.98~1.63%的SnO₂原料；将上述原料和去离子水加入搅拌球磨机混料3~5小时，出料用压滤罐滤水，之后烘干；

3.2、再加入占物料质量分数5~9%去离子水，过40目筛后压块，在780~820℃下利用隧道窑进行预烧2~3小时；

3.3、预烧后再进过粉碎研磨、造粒、干压成型步骤后在1060~1120℃的条件下通过隧道窑进行烧结2~4小时得半成品；半成品经烤银、极化后即得。

4.根据权利要求3所述的一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤3.3中在隧道窑中的烧结温度为1080~1100℃。