[发明专利]一种聚偏氟乙烯纤维阵列压电膜及其制备方法有效
申请号: | 201310144717.9 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN103258952A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 柏自奎;方东;李颂战;刘莉;陶咏真;肖仕丽;许杰;徐卫林 | 申请(专利权)人: | 武汉纺织大学 |
主分类号: | H01L41/193 | 分类号: | H01L41/193;H01L41/37;H01L41/45 |
代理公司: | 武汉荆楚联合知识产权代理有限公司 42215 | 代理人: | 刘治河 |
地址: | 430073 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚偏氟 乙烯 纤维 阵列 压电 及其 制备 方法 | ||
1.一种聚偏氟乙烯纤维阵列压电膜,其特征在于:所述聚偏氟乙烯纤维阵列压电膜是以等长度的聚偏氟乙烯纤维取向紧密排列而形成的阵列膜,聚偏氟乙烯纤维的直径为30nm-500nm,阵列膜的厚度为50μm-1000μm,阵列膜大于或等于0.3cm2。
2.一种聚偏氟乙烯纤维阵列压电膜的制备方法,包括聚偏氟乙烯溶液的配制及聚偏氟乙烯溶液的静电纺制备取向纤维束,其特征在于:所述制备方法是指将由聚偏氟乙烯溶液静电纺得到的聚偏氟乙烯取向纤维束,按相同的纤维牵伸方向填入预制模具槽中,在室温条件,经1MPa-10MPa压力作用1-3小时,压制成致密的聚偏氟乙烯取向纤维束棒,再将聚偏氟乙烯取向纤维束棒按厚度为50μm-1000μm切片,获得厚度为50μm-1000μm,面积大于或等于0.3cm2的聚偏氟乙烯纤维阵列压电膜。
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