[发明专利]一种磁性元件损耗测量方法有效
| 申请号： | 201310144862.7 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103226187A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈为;杨向东;叶建盈;汪晶慧 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;G01R27/26 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 元件 损耗 测量方法 | ||
1.一种磁性元件损耗测量方法，其特征在于：采用一功率变换器作为测试电路，在工况下测量所述测试电路的输入功率，然后选择所述测试电路中磁性元件的两端点并将被测磁性元件并联在所述两端点，之后测量并联被测磁性元件后所述测试电路的输入功率，并联被测磁性元件前后所述测试电路的输入功率之差即为所述被测磁性元件在所述工况下的损耗。
2.根据权利要求1所述的一种磁性元件损耗测量方法，其特征在于：所述被测磁性元件在所述工况频率下的阻抗值大于所述测试电路中磁性元件的阻抗值的十倍以上。
3.根据权利要求2所述的一种磁性元件损耗测量方法，其特征在于：所述测试电路中磁性元件的磁芯与所述被测磁性元件的磁芯具有相同的规格尺寸和绕线匝数，且所述被测磁性元件在所述工况频率下的阻抗值大于所述测试电路中磁性元件的阻抗值的十倍以上，并联被测磁性元件前后所述测试电路的输入功率之差即为所述被测磁性元件的磁芯在与所述测试电路中磁性元件的磁芯相同磁通密度工况波形情况下的损耗。
4.根据权利要求1所述的一种磁性元件损耗测量方法，其特征在于：当测量所述被测磁性元件施加工频交流偏磁电流的损耗时，将被测磁性元件串联上一个外加电阻后再并联在所述测试电路中磁性元件的两端点，调节所述外加电阻或被测磁性元件的绕组线径，使满足L1/(R1+R2)=L0/R0，其中L1表示所述被测磁性元件的电感值，R1表示所述被测磁性元件绕组的工频电阻值，R2表示所述外加电阻的电阻值，L0表示所述测试电路中磁性元件的电感值，R0表示所述测试电路中磁性元件的工频电阻值，则并联被测磁性元件前后所述测试电路的输入功率之差即为所述被测磁性元件在所述工况和工频交流偏磁电流下的损耗。
5.根据权利要求1所述的一种磁性元件损耗测量方法，其特征在于：当测量所述被测磁性元件施加直流偏磁电流的损耗时，将被测磁性元件串联上一个偏磁电流抑制电阻Rp后再并联在所述测试电路中磁性元件的两端点，将直流偏置电源并联在所述被测磁性元件上，则并联被测磁性元件前后所述测试电路的输入功率之差即为所述被测磁性元件在所述工况和直流偏磁电流下的损耗。
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