[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310145232.1 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124197B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成金属互联结构；
对所述金属互联结构中金属材料和层间介质层的表面进行处理，以消除所述层间介质层的空隙，形成比所述层间介质层硬度大的表面，所述处理方法包括以下子步骤：
(a)选用NH3等离子体进行处理；
(b)选用SiH4等离子体进行处理；
(c)选用四甲基硅烷等离子体进行处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子步骤(b)中在选用SiH4等离子体进行处理后进步一包含选用Ar等离子体处理的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子步骤(c)中在选用四甲基硅烷等离子体进行处理后进步一包含选用Ar等离子体处理的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子步骤(b)中SiH4等离子体处理的功率为50-1000w，压力0.5-10torr，气体流量100-1000sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述子步骤(c)中在四甲基硅烷等离子体的功率为50-1000w，压力0.5-10torr，气体流量100-1000sccm。
6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述Ar等离子体处理的功率为200-1000w，压力为0.5-5torr，气体流量为500-1000sccm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属材料为金属铜。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层为多孔超低K材料。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成金属互联结构的方法为：
在所述半导体衬底上形成蚀刻阻挡层、层间介质层和硬掩膜叠层；
图案化所述蚀刻阻挡层、所述层间介质层和所述硬掩膜叠层，以形成沟槽；
选用金属材料填充所述沟槽；
执行平坦化步骤至所述层间介质层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层为氮掺杂的碳化硅层。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜叠层包括依次层叠的黑金刚石层和正硅酸乙酯层。
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