[发明专利]磁致伸缩位移传感器信号发射电路无效

专利信息
申请号: 201310145320.1 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103234444A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 周新志;冯希辰;余超 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 王芸;熊晓果
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 伸缩 位移 传感器 信号 发射 电路
【权利要求书】:

1.一种磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,包括:激励脉冲发射模块和脉冲电流发射模块;所述激励脉冲发射模块和脉冲电流发射模块连接;所述激励脉冲发射模块将产生的激励脉冲发射给所述脉冲电流发射模块,所述脉冲电流发射模块将激励脉冲转化为脉冲电流并将其发送给接口电路。

2.如权利要求1所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述激励脉冲发射模块主要由振荡电路,分频电路以及单稳态多谐振荡器电路构成,所述振荡电路产生振荡信号源并发送给所述分频电路,信号经所述分频电路分频后传输给所述单稳态多谐振荡器电路产生激励脉冲。

3.如权利要求2所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述单稳态多谐振荡器采用SNJ54121J芯片。

4.如权利要求1所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述脉冲电流发射模块主要由开关电路和充放电电路构成;所述开关电路主要由三极管和mos管组成,所述充放电电路主要由聚丙烯电容组成;

激励脉冲由NPN和PNP三极管组成的所述开关电路控制mos管,从而控制聚丙烯电容的充放电,放电时产生的电荷(经由高速开关二极管)转移到漆包线上。

5.如权利要求4所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述MOS管采用P75N06型号,使电荷转移充分。

6.如权利要求4所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述脉冲电流发射模块还包括开关二极管,所述开关二极与所述聚丙烯充放电容连接,用于配合电荷的快速转移。

7.如权利要求6所述的磁致伸缩位移传感器信号发射电路,其特征在于,所述开关二极管包括第一开关二极管和第二开关二极管,所述第一开关二极管正端接聚丙烯充放电容的负极,另一端接地;保证电路电流形成一个回路;所述第二开关二极管负端接聚丙烯充放电容的负极,另一端接波导丝。

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