[发明专利]一种非易失性存储器单元、以及配置或读取非易失性存储器单元的存储位的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元包含：

一存取晶体管；以及

一第一非易失性存储器晶体管和一第二非易失性存储器晶体管，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极相连接，而所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的漏极电极耦接至所述存取晶体管的源极电极；

其中，于一读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一操作电压端，而所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一接地端；以及

其中，在配置后的所述读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管分别被导通和被切断，而所述存取晶体管的漏极电极产生一输出信号，所述输出信号对应于连接至导通非易失性存储器晶体管的所述操作电压端及所述接地端的其一所承载的电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元运作时无需任何感测放大器。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管为N型，更包含：

一第一切换器，耦接至所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极，用以根据一第一控制信号，浮接所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极，或者将所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至所述接地端以及所述操作电压端的其一；以及

一第二切换器，耦接至所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极，用以根据一第二控制信号，浮接所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极，或者将所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至所述接地端。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于，于配置后的所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管分别处于具一第一临界电压V_the的擦写状态和具一第二临界电压V_thp的编程状态，其中所述第一临界电压V_the小于所述第二临界电压V_thp。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器单元，其特征在于，当所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管为N型时，在配置后的读取模式中，处于所述擦写状态的所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管之一被导通，而处于所述编程状态的另一非易失性存储器晶体管被切断。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器单元，其特征在于，当所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管为P型时，在配置后的读取模式中，处于所述擦写状态的所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管之一被切断，而处于所述编程状态的另一非易失性存储器晶体管被导通。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管为P型，且所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管嵌入于一N型井中，所述N型井具有一井电极。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元更包含：

一第三切换器，耦接至所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极，用以根据一第三控制信号，将所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至所述接地端、所述操作电压端和所述井电极的其一；以及

一第四切换器，耦接至所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极，用以根据一第四控制信号，将所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至所述接地端和所述井电极的其一。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元为多次可配置非易失性存储器单元。