[发明专利]高密度磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺在审

专利信息
申请号: 201310145505.2 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN104122513A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 张挺;万虹 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R3/00
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 王松
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高密度 传感 装置 及其 感应 方法 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种高密度磁传感装置,其特征在于,所述装置包括垂直方向磁传感部件,该垂直方向磁传感部件包括:

-基底,其表面开有沟槽;

-导磁单元,含有磁材料层,导磁单元包括分别设置于沟槽的两侧的第一导磁部分、第二导磁部分;第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面;第一导磁部分及第二导磁部分用以收集垂直方向的磁场信号,并将该磁场信号输出至感应单元;

-感应单元,设置于沟槽的两侧、所述基底表面上,与所述沟槽中的第一导磁部分及第二导磁部分相互配合;所述感应单元是感应与基底表面平行方向的磁传感器,含有磁材料层,用以接收所述导磁单元输出的来自垂直方向的磁信号,并根据该磁信号测量出垂直方向对应的磁场强度及磁场方向;所述垂直方向为基底表面的垂直方向;

所述磁传感装置还包括第一磁传感器、第二磁传感器,分别用以感应与基底表面平行的第一方向、第二方向,第一方向、第二方向相互垂直。

2.一种高密度磁传感装置,其特征在于,所述装置包括第三方向磁传感部件,该第三方向磁传感部件包括:

基底,其表面开有沟槽;

导磁单元,导磁单元包括分别设置于沟槽的两侧的第一导磁部分、第二导磁部分;第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面;第一导磁部分及第二导磁部分用以收集第三方向的磁场信号,并将该磁场信号输出;

感应单元,设置于所述基底表面上、所述沟槽的两侧,分别与所述沟槽中的第一导磁部分及第二导磁部分相互配合;用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号,并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。

3.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述第三方向磁传感部件包括至少一对相配合的磁传感模块,磁传感模块包括所述导磁单元、感应单元;

每对相配合的两个磁传感模块设置完成后,能够直接抵消每对磁传感模块在第一方向或/和第二方向上的磁场信号输出。

4.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述导磁单元的第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于一列沟槽内;一列沟槽由一个长沟槽构成,或者一列沟槽包括若干间隔设置的子沟槽;

所述感应单元包括第一感应部分、第二感应部分,第一感应部分设置于沟槽的第一侧,第二感应部分设置于沟槽的第二侧。

5.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述导磁单元的第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于若干列平行排列的沟槽内;一列沟槽由一个长沟槽构成,或者一列沟槽包括若干间隔设置的子沟槽;

所述感应单元包括多个第一感应部分、多个第二感应部分,第一感应部分设置于沟槽的第一侧,第二感应部分设置于沟槽的第二侧;

所述沟槽第一侧的第一感应部分与该沟槽第二侧的第二感应部分相连,第一感应部分与第二感应部分的电极方向相反。

6.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述导磁单元的第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于若干列平行排列的沟槽内;一列沟槽由一个长沟槽构成,或者一列沟槽包括若干间隔设置的子沟槽;

所述感应单元包括多个第一感应部分、多个第二感应部分,第一感应部分设置于沟槽的第一侧,第二感应部分设置于沟槽的第二侧;

同一个感应单元的多个第一感应部分串联在一起,且电极方向相同;同一个感应单元的多个第二感应部分串联在一起,且电极方向相同。

7.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述第三方向磁传感部件包括外围电路,用于计算磁场强度及磁场方向,并进行输出。

8.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述导磁单元的主体部分与基底表面的夹角为45°~90°;所述感应单元贴紧基底表面设置,与基底表面平行。

9.根据权利要求2所述的高密度磁传感装置,其特征在于:

所述感应单元是与基底表面平行的磁传感器,和基底表面平行的第一方向、第二方向对应的磁传感器一起,组成三维磁传感器的一部分。

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