[发明专利]一种光屏障玻璃的制备方法

权利要求书

1.一种光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

在玻璃基板上形成金属层；

在所述金属层上涂覆第一光刻胶层，通过半透型掩模板对所述第一光刻胶层进行第一次曝光，然后对所述第一光刻胶层进行第一次显影处理，形成依次分别对应半透型掩模板的不透光区域、半透光区域和完全透光区域的第一光刻胶层完全保留区域、第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全去除区域；

通过第一次刻蚀工艺去除第一光刻胶层完全去除区域对应的金属层、以及第一光刻胶层半保留区域和第一光刻胶层完全保留区域对应的金属层的部分区域，暴露出玻璃基板的部分区域；

通过灰化工艺去除第一次显影后的所述第一光刻胶层的部分厚度和部分区域，暴露出第一次刻蚀工艺后剩余的金属层的部分区域；

在暴露的所述玻璃基板上、暴露的所述金属层上、灰化工艺后的所述第一光刻胶层上和灰化工艺后的所述第一光刻胶层的侧壁形成绝缘层；

采用光阻剥离的方法将灰化工艺后的所述第一光刻胶层、位于灰化工艺后的所述第一光刻胶层上的所述绝缘层以及灰化工艺后的所述第一光刻胶层侧壁的所述绝缘层去除，得到位于所述金属层上的过孔，暴露出所述金属层的对应所述过孔的部分区域；

在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形。

2.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述过孔内、所述过孔的侧壁上和所述绝缘层上形成透明的像素电极图形”进一步包括如下子步骤：

在所述绝缘层上、所述过孔内和所述过孔的侧壁上形成透明的像素电极层；

在所述像素电极层上涂覆第二光刻胶层；

通过常规掩膜板对所述第二光刻胶层的部分区域进行第二次曝光；

对所述第二光刻胶层进行第二次显影处理；

通过第二次刻蚀工艺去除暴露的所述像素电极层；

剥离剩余的所述第二光刻胶层，得到透明的像素电极图形。

3.如权利要求1或2所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，所述像素电极层的材质为ITO。

4.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次显影处理后的所述第一光刻胶呈中间厚、两边薄的凸起形。

5.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次刻蚀工艺后剩余的所述金属层的两侧边缘呈斜坡状。

6.如权利要求5所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，第一次刻蚀后的所述金属层的宽度小于第一次显影处理后的所述第一光刻胶的宽度。

7.如权利要求1所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的剖面呈长方形。

8.如权利要求7所述的光屏障玻璃的制备方法，其特征在于，灰化工艺后的所述第一光刻胶层的宽度小于第一次刻蚀工艺后的所述金属层的宽度。