[发明专利]存储系统、存储器件、存储控制器及操作其的方法

说明书

一种存储系统包括存储控制器和至少一个存储器件。所述至少一个存储器件包括刷新请求电路，该刷新请求电路在基于存储单元的数据保持时间（诸如基于存储单元行的各个数据保持时间）的定时生成刷新请求信号。存储控制器响应于所接收的刷新请求信号来调度用于至少一个存储器件的操作命令。

技术领域

示范性实施例涉及存储器件，并且更具体地涉及一种存储系统、存储器件、存储控制器及操作其的方法。

背景技术

诸如动态随机存取存储器（DRAM）的易失性存储器件可以执行刷新操作来保持储存在存储单元中的数据。如果存储单元具有比在标准中定义的刷新时段更短的保持时间，则包括该存储单元的一行存储单元应该被一行冗余单元代替。随着存储单元的尺寸缩小，具有短于刷新时段的保持时间的存储单元的数目增加。因此，在传统的易失性存储器件中冗余单元的行数应该会增加。

发明内容

一些示例实施例提供了一种能够增强性能的存储系统。

一些示例实施例提供了一种能够增强性能的存储器件。

一些示例实施例提供了一种能够增强性能的存储控制器。

一些示例实施例提供了一种操作所述存储系统、存储器件和/或存储控制器的方法。

根据一些实施例，一种操作存储器件的方法可以包括：向存储控制器发送对于刷新命令的请求，使得该存储控制器生成第一刷新命令；从存储控制器接收刷新命令；及响应于接收第一刷新命令，刷新存储器件的存储器。

所述发送可以包括向存储控制器发送对于刷新命令的请求以及第一存储地址，并且所述刷新可以包括，响应于接收第一刷新命令，刷新与第一存储地址关联的存储器。

所述接收可以包括接收第一刷新命令和第一存储地址。

方法可以进一步包括：生成到存储控制器的、以第一率对于关于第一组存储单元的刷新命令的多个第一请求；以及生成到存储控制器的、以第二率对于关于第二组存储单元的刷新命令的多个第二请求，第二率与第一率不同。

每组存储单元可以具有数据保持时间，该数据保持时间反映用于在数据需要被刷新之前储存数据达一时间段的能力。

第一组存储单元可以具有第一数据保持时间，第二组存储单元可以具有第二数据保持时间，其中第一数据保持时间与第二数据保持时间不同。

方法可以进一步包括：访问储存存储地址的刷新调度的查找表；以及在响应于刷新调度的定时向存储控制器发布一系列刷新请求。

方法可以进一步包括：访问储存存储器件的刷新率的寄存器装置；并且根据该刷新率向存储控制器发布一系列刷新请求。

方法可以进一步包括：访问指示存储器件的温度的温度传感器单元；并以响应于温度的率向存储控制器发布一系列刷新请求。

每个刷新请求可以与标识被配置为同时刷新的存储单元的单个存储地址关联。

每个刷新请求可以与多个存储地址关联，多个存储地址中的每个存储地址标识被配置为同时刷新的存储单元。

访问查找表可以包括接收刷新调度的一系列存储地址，并且发布一系列刷新请求可以包括发布一系列刷新请求中的每个刷新请求以及刷新调度的对应存储地址。

访问可以包括以规则间隔来读取查找表的条目序列，每次读取的结果是产生存储地址中的一个存储地址或指示对于一个间隔不需要刷新请求的第一信息。

查找表的条目序列可以包括存储地址的第一存储地址的多个条目。

该存储器件可以是包括多个库的动态随机存取存储器DRAM，每个库包括存储器的多行，并且查找表的刷新调度包括关于至少一个库的、所述存储器的多行中的每行的条目。