[发明专利]薄膜电极及其制法有效

专利信息
申请号: 201310146263.9 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103310991A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 叶威廷;蔡安益 申请(专利权)人: 长兴化学工业股份有限公司
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 中国台湾高*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 电极 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种用于制备电极的转印薄膜,其包含:

(a)底衬层;及

(b)至少一层涂料层,其位于该底衬层上,且包含粘结剂及填料,

其中该涂料层具有约2至约40微米的厚度。

2.如权利要求1所述的转印薄膜,其中该底衬层包含选自由聚酯树脂、聚甲基丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯乙烯树脂、聚环烯烃树脂、聚烯烃树脂、聚碳酸酯树脂、聚氨基甲酸酯树脂、三醋酸纤维素及其混合物所组成的组中的材料。

3.如权利要求1所述的转印薄膜,其中该涂料层具有约3至约30微米的厚度。

4.如权利要求1所述的转印薄膜,其中该粘结剂选自由聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂及其混合物所组成的组。

5.如权利要求1所述的转印薄膜,其中该填料选自由二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)、硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化镉(CdSe)、磷化镓(GaP)、碲化镉(CdTe)、硒化钼(MoSe2)、硒化钨(WSe2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化钨(WO3)、钽酸钾(KTaO3)、氧化锆(ZrO2)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化硅(SiO2)、硫化镉(CdS)、铂、碳、石墨烯及其混合物所组成的组。

6.如权利要求1所述的转印薄膜,其中该填料在该涂料层中的含量以固含量计为约15重量%至约95重量%。

7.如权利要求1所述转印薄膜,其进一步包含位于该涂料层上的保护层。

8.一种制备薄膜电极的方法,其包含:

(1)提供一基材;

(2)将权利要求1至6中任一项所述的转印薄膜置于该基材上,其中该涂料层介于该底衬层与该基材之间;

(3)使该涂料层转印于该基材上;及

(4)移除该底衬层以形成薄膜电极。

9.如权利要求8所述的方法,其中该基材上包含导电层,且该涂料层于步骤(2)中介于该底衬层与该导电层之间。

10.如权利要求9所述的方法,其中该导电层包含选自由氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)及其混合物所组成的组中的导电氧化物。

11.如权利要求8至10中任一项所述的方法,其中该基材选自由玻璃、金属、合金、塑料及其混合物所组成的组。

12.如权利要求8至10中任一项所述的方法,其中该基材为平面或非平面。

13.如权利要求8至10中任一项所述的方法,其中步骤(2)以卷对卷(roll-to-roll)制造工艺输送及定位该转印薄膜。

14.如权利要求8至10中任一项所述的方法,其中步骤(3)中的转印利用压合方式进行。

15.如权利要求14所述的方法,其中该压合方式为热压合。

16.一种薄膜电极,其由权利要求8至15中任一项所述的方法所制得。

17.如权利要求16所述的薄膜电极,其应用于染料敏化太阳能电池(DSSC)。

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