[发明专利]一种NiW合金基底上的立方织构Ce1-σGdσO2薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种NiW合金基底上的立方织构Ce_1-σGd_σO₂薄膜，其特征在于是生长在立方织构的NiW合金基底上的Ce_1-σGd_σO₂薄膜，厚度为 200-500nm，具有（200）择优取向和面心立方晶体结构，织构形式为{100}<001>，其中0.1≤σ≤0.2，所述的NiW合金是按质量百分比含5%W 的Ni-5%W合金。

2.  权利要求1所述的一种NiW合金基底上的立方织构Ce_1-σGd_σO₂薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：

（1）以 (CH₃CO₂)₃Ce(III)和GdN₃O₉为起始原料，按照摩尔比Ce³⁺: Gd³⁺=（4~9）: 1的比例将原料溶解于丙酸(C₂H₅COOH)中，调节溶液Ce³⁺和Gd³⁺的总浓度为1.0~1.2mol/l，得到Ce_1-σGd_σO₂前驱液，0.1≤σ≤0.2；

（2）将Ce_1-σGd_σO₂前驱液用匀胶机以3000~4000r/min的转速，旋转30~60s，旋涂在Ni-5%W合金基底上，再将旋涂后的基片送入炉管，在体积百分比为2~4%的H₂和96~98%的Ar气氛保护下1000~1200℃热处理0.5-2h，得到NiW合金基底上的立方织构Ce_1-σGd_σO₂薄膜。