[发明专利]一种有机电致发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201310147599.7 | 申请日: | 2013-04-25 |
公开(公告)号: | CN103219476A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 李艳青;周雷;唐建新 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐灵;常亮 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种有机电致发光二极管的制作方法,其特征在于:包括步骤
在衬底上制作第一电极层;
在第一电极层上制作第一传输层,所述第一传输层以旋涂或滴注工艺制备,使得该第一传输层在旋涂或滴注后为液态或胶状/半胶状形态;
对所述第一传输层实施一纳米软压印工艺,在该第一传输层上形成纳米凹凸结构,该纳米凹凸结构具体是一种准周期或非周期性的凹凸结构;
在所述第一传输层上制作发光层,所述发光层的至少部分渗入至该第一传输层的纳米凹凸结构中,使得发光层上产生该纳米凹凸结构的互补结构,从而在所述发光层和第一传输层的交界面处形成折射率梯度变化的光提取结构;
在发光层上制作OLED的其余结构层,完成整个OLED的制作。
2.如权利要求1所述的有机电致发光二极管制作方法,其特征在于:对于顶出光的OLED器件,所述第一传输层为电子传输层,所述第二传输层为空穴传输层;对于底出光的OLED器件,所述第一传输层为空穴传输层,所述第二传输层为电子传输层。
3.如权利要求1所述的有机电致发光二极管制作方法,其特征在于:所述纳米软压印工艺包括:
在基底上沉积或旋涂硝酸银浆,
在氮气(N2)作为保护气体情况下,对上述基底加温,使硝酸银浆先固化成膜,然后在高温作用下收缩成纳米银球,该纳米银球形成的点阵为准周期或非周期的结构;
以所述纳米银球作为掩模,采用离子活性刻蚀,而后用浓硝酸去除纳米银球,得到二维准周期或非周期排列的纳米结构母板;
将介质转移材料均匀涂在上述母板上面,施加压力同时加温固化;
脱模,将母板上的二维纳米结构转移到介质转移材料上,形成软压印模板;
利用上述软压印模板,对第一传输层进行压印,将软压印模板上的结构转移到第一传输层上。
4.如权利要求3所述的有机电致发光二极管制作方法,其特征在于:所述基底为石英、硅、镍、碳素钢、碳化硅、掺铝氧化锌、聚碳酸酯、聚氯乙烯或聚甲基丙烯酸丁酯中的一种。
5.如权利要求3所述的有机电致发光二极管制作方法,其特征在于:所述介质转移材料为聚二甲硅氧烷、聚苯乙烯、丙烯酸或全氟聚醚中的一种。
6.如权利要求3所述的有机电致发光二极管制作方法,其特征在于:所述对第一传输层进行压印时,采用平对平的热压印技术,或者采用卷对卷的压印技术。
7.一种使用如权利要求1所述的制作方法制得的有机电致发光二极管,该有机电致发光二极管为单层纳米结构OLED器件,其特征在于:该OLED器件的电子传输层与发光层的交界面或者空穴传输层与发光层的交界面上设有纳米光提取凸结构,该纳米光提取结构为准周期或非周期性的纳米凹凸结构。
8.一种使用如权利要求1所述的制作方法制得的有机电致发光二极管,该有机电致发光二极管为叠层纳米结构OLED器件,其特征在于:该OLED器件的第一电子传输层与发光层的交界面或者第一空穴传输层与发光层的交界面上设有纳米光提取结构,该纳米光提取结构为准周期或非周期性的纳米凹凸结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310147599.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锂离子电池氧化硅/碳复合负极材料的制备方法
- 下一篇:一种基板封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择