[发明专利]一种用于控制IGBT开断的PWM波产生电路

权利要求书

1.一种用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，包括：

载波发生电路，连接至PWM波产生电路的载波信号输入端，用于产生PWM波产生电路所需频率的载波信号；

PWM波产生电路，包括：

控制信号IN1生成电路，连接至控制信号IN2生成电路，用于将控制信号IN和反馈信号IF处理成所需的控制信号IN1；

控制信号IN2生成电路，分别连接至控制信号INT3生成电路和控制信号INB3生成电路，用于将控制信号IN1调制成所需频率的控制信号IN2；

控制信号INT3生成电路，连接至控制信号TOP-PWM生成电路，用于将控制信号IN2处理成同频率的控制信号INT3；

控制信号INB3生成电路，连接至控制信号BOT-PWM生成电路，用于将控制信号IN2处理成同频率的控制信号INB3；

控制信号TOP-PWM生成电路，用于将控制信号INT3处理成同频率的控制IGBT上桥臂开断的控制信号TOP-PWM；

控制信号BOT-PWM生成电路，用于将控制信号INB3处理成同频率的控制IGBT下桥臂开断的控制信号BOT-PWM。

2.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的载波发生电路包括波形产生芯片U1，芯片U1为集成芯片I CL8038，芯片U1的10脚和11脚之间接有电容C1，电容C1为1nF电容，芯片U1的9脚外接测试针TP1，电位器RP1、电位器RP2为调节载波频率使用的可调电阻，阻值为100K，比较电路有比较器A1D、电阻R4、电阻R5、电位器RP3组成，比较器A1D为TL084ID，电阻R4、电阻R5阻值为10K电阻，电位器RP3为20K电位器。

3.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的控制信号IN1生成电路包括由电阻R6、电阻R7、电阻R8、电位器RP4、比较器A1A组成求和比较电路，由稳压管Z1、稳压管Z2组成的稳压电路，其中电阻R6、电阻R7、电阻R8为10K电阻，电位器RP4为100K电位器，所述的比较器A1A为TL084ID，稳压管Z1、稳压管Z2为5.1V稳压管。

4.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的控制信号IN2生成电路，包括由电阻R9、电阻R10、电容C2、比较器A2、电阻R11组成的载波调制电路，其中电阻R9为2K电阻，电阻R10为10K电阻，电容C2为1uF电容，比较器A2为集成芯片LM211，电阻R11为5.1K上拉电阻，载波信号T RANGAL由载波发生电路提供，且使用载波频率为5KHZ。

5.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的控制信号INT3生成电路，包括由电阻R12、电阻R14、比较器A3、电阻R16组成的比较电路，电阻R18、二极管D1、电容C3组成的低通滤波和积分电路，其中电阻R12、电阻R14为10K电阻，电阻R16为5.1K上拉电阻，比较器A3为集成芯片LM211。

6.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述控制信号TOP-PWM生成电路，包括由电位器RP5、比较器A5、电阻R20组成门限值比较电路，门限值设定为3.2V，其中电位器RP5为2K的电位器，比较器A5为集成芯片LM211，电阻R20为5.1K的上拉电阻。

7.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的控制信号INB3生成电路包括由电阻R13、电阻R15、比较器A4、电阻R17组成的比较电路，电阻R19、二极管D2、电容C4组成的低通滤波和积分电路，其中电阻R13、电阻R15为10K电阻，电阻R17为5.1K上拉电阻，比较器A4为集成芯片LM211，电阻R19为100K电阻，二极管D2为高频二极管1N4148，电容C4为47pF电容。

8.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，所述的控制信号BOT-PWM生成电路，包括由电位器RP5、比较器A6、电阻R21组成门限值比较电路，其中门限值设定为3.2V，电位器RP5为2K的电位器，比较器A6为集成芯片LM211，电阻R21为5.1K的上拉电阻。

9.如权利要求1所述的用于控制IGBT开断的PWM波产生电路，其特征在于，在所述的控制信号BOT-PWM电路、控制信号TOP-PWM生成电路和控制信号IN1生成电路的输出电路上以及电位器RP4的两端连接有双脚测试针。