[发明专利]一种霍尔盘仿真模型

权利要求书

1.一种霍尔盘仿真模型，其特征在于，包括四个霍尔盘电阻、四个用于模拟霍尔电压的霍尔电压源和四个用于模拟失调电压的失调电压源；

所述四个霍尔盘电阻依次首尾相接构成电阻桥，所述电阻桥的每个接点上串联连接有一个所述霍尔电压源和一个所述失调电压源；

任一时刻，有且仅有两个不相邻的接点上串接的失调电压源的电压为0.5*V_OS、霍尔电压源的电压为0.5SIV(MF)，另外两个接点上串接的失调电压源和霍尔电压源的电压均为零；其中，V_OS为霍尔盘的失调电压，S为霍尔盘的电流灵敏度，I为流过所述失调电压源电压为零的两个接点的电流，V(MF)为等效电压信号，所述V(MF)的大小根据产生所述霍尔电压所需的磁场信号B的大小以及所述等效电压信号和磁场信号的预设对应关系确定。

2.根据权利要求1所述的霍尔盘仿真模型，其特征在于，所述等效电压信号V(MF)为与所述磁场信号B同频率的正弦信号。

3.根据权利要求2所述的霍尔盘仿真模型，其特征在于，所述等效电压信号V(MF)和磁场信号B的对应关系为1mV对应1mT。

4.根据权利要求1～3任一项所述的霍尔盘仿真模型，其特征在于，所述电阻桥的每个接点与霍尔电压源和失调电压源串联后，还与接地电容串联。

5.根据权利要求1～3任一项所述的霍尔盘仿真模型，其特征在于，所述霍尔电压源为电流控制电压源。

6.根据权利要求1～3任一项所述的霍尔盘仿真模型，其特征在于，所述失调电压通过对霍尔盘进行流片测试得到。