[发明专利]用于操控功率半导体开关的方法

权利要求书

1.用于操控可控的功率半导体开关（LS）的方法，所述功率半导体开关具有栅极端子（G）、集电极端子（c）和发射极端子（E）并且以其集电极-发射极路段连接在第一和第二供电电势（Vcc，OUT）之间，其中该方法包括：

借助于电压源装置（SPQ）调整功率半导体开关（LS）的集电极电流（I_c）和集电极-发射极电压（V_ce）的关断边沿的陡度，该电压源装置与功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）连接；和

借助于可控的电流源装置（STQ）调整功率半导体开关（LS）的集电极电流（I_c）和集电极-发射极电压（V_ce）的接通边沿的陡度，该电流源装置与功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）连接并且生成栅极操控电流（I_G），其中

在从通过功率半导体开关（LS）的集电极-发射极电流（I_Last）的电流升高开始直至集电极-发射极电压（V_ce）的下降结束为止的阶段中，可调整的栅极操控电流（I_G）的变化曲线从一个开关过程到接下来的开关过程之一在预先给定的公差带内最大地被改变。

2.根据权利要求1的方法，其中可调整的栅极操控电流（I_G）的变化曲线从一个开关过程到紧随其后的开关过程在预先给定的公差带内最大地被改变。

3.根据权利要求1的方法，其中可调整的栅极操控电流（I_G）的变化曲线从一个开关过程到至少一个紧随其后的开关过程保持不变并且在特定数量的开关过程之后才在预先给定的公差带内最大地被改变。

4.根据权利要求1至3之一的方法，其中所述公差带在一个开关过程时为分别前面的开关过程的最大+/-20%。

5.根据权利要求1至4之一的方法，其中所述公差带与功率半导体开关（LS）处的要开关的电压无关地被遵守。

6.根据权利要求1至5之一的方法，其中栅极操控电流（I_G）的电流强度在预先给定的公差带内从较大值或较小值出发近似于额定值（I_S）。

7.根据权利要求1至6之一的方法，该方法此外包括测量功率半导体开关（LS）的瞬时的栅极操控电流（I_G）。

8.根据权利要求7的方法，其中借助于感测电阻或者旁路电路和调节回路来执行对栅极操控电流（I_G）的测量。

9.根据权利要求7或8的方法，其中所测量的栅极操控电流（I_G）作为实际值被中间存储，并且将实际值与额定值（I_S）进行比较，以便能够在随后的接通过程时对注入到功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）中的栅极操控电流（I_G）进行匹配。

10.根据前述权利要求之一的方法，其中栅极操控电流（I_G）的值从起始时刻开始在预先给定的最小持续时间上被调整。

11.根据权利要求10的方法，其中当满足一个或多个条件时，对栅极操控电流（I_G）的值进行调整的阶段在达到最小持续时间之前结束。

12.根据权利要求11的方法，其中结束对栅极操控电流（I_G）的值进行调整的阶段的条件是在功率半导体开关（LS）处达到栅极电压V_GE的额定值（I_S）。

13.根据前述权利要求之一的方法，其中电压源装置（SPQ）具有栅极串联电阻（R_G），该栅极串联电阻被确定大小为，使得功率半导体开关（LS）的切断行为通过其固有动态性来确定。

14.根据前述权利要求之一的方法，其中电压源装置（SPQ）被设计为将功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）处的电压电势调整到0V或者小于或等于0V的值。

15.根据前述权利要求之一的方法，其中功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）处的电压电势在关断过程开始之前的可编程的时间阶段期间被调整到中间值，其中该中间值处于关断状态中的值和接通状态中的值之间。