[发明专利]图案化基板及发光二极管结构

权利要求书

1.一种图案化基板，其特征在于，包括：

一基板；以及

多个突出体，所述多个突出体位于该基板上，每一个突出体具有一顶面及一底部，每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0至0.2微米。

2.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，上述每两个相邻突出体的两底部之间的距离为0，上述每两个相邻突出体的两底部互相连接。

3.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该图案化基板为蓝宝石基板、硅基板及碳化硅基板之中的其中一种。

4.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，该顶面直径与每2个顶面之间距离的比值介于1/5至5之间。

5.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，每2个顶面之间的距离小于等于10微米，每2个顶面之间的距离为介于0.3至2.5微米之间。

6.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，每一个突出体为多角锥状体，该顶面为水平的平面，该底部具有多个底角及多个底边，每一个突出体以所述多个底角分别连接或邻近于相邻的突出体所对应的底角或所对应的底边。

7.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，每一个突出体为圆锥状体，该顶面为水平的平面，该底部具有一圆弧形底边，每一个突出体以该底边连接或邻近于相邻的突出体的该底边，而组合排列成矩阵的型态或交错的型态。

8.如权利要求1所述的图案化基板，其特征在于，每一个突出体为长条梯形体，该顶面为水平的平面，该底部于长边方向具有两底边，每一个突出体以上述两底边连接或邻近于相邻的突出体的该底边。

9.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一基板；

多个突出体，所述多个突出体位于该基板上，每一个突出体具有一顶面及一底部，每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0至0.2微米，且每两个相邻突出体之间具有一空孔；

一第一半导体层，该第一半导体层设置于该基板上，且该第一半导体层覆盖所述多个突出体；

一发光层，该发光层设置于部分该第一半导体层上；

一第二半导体层，该第二半导体层设置于该发光层上；

一第一电极，该第一电极设置于未覆盖有该发光层的该第一半导体层的上方；以及

一第二电极，该第二电极设置于该第二半导体层上；

其中，当上述每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0时，上述每两个相邻突出体的两底部之间为互相连接。

10.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，该图案化基板为蓝宝石基板、硅基板及碳化硅基板之中其中一种。

11.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，每一个突出体为多角锥状体，该顶面为水平的平面，该底部具有多个底角及多个底边，每一个突出体以所述多个底角分别连接或邻近于相邻之突出体所对应的底角或所对应的底边。

12.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，每一个突出体为圆锥状体，该顶面为水平的平面，该底部具有一圆弧形底边，每一个突出体以该底边连接或邻近于相邻的突出体的该底边，而组合排列成矩阵的型态或交错的型态。

13.如权利要求9所述的发光二极管结构，其特征在于，每一个突出体为长条梯形体，该顶面为水平的平面，该底部于长边方向具有两底边，每一个突出体以上述两底边连接或邻近于相邻的突出体的该底边。

14.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一基板；

多个突出体，所述多个突出体位于该基板上，每一个突出体具有一顶面及一底部，每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0至0.2微米，且每两个相邻突出体之间具有一空孔；

一第一半导体层，该第一半导体层设置于该基板上，且该第一半导体层覆盖所述多个突出体；

一发光层，该发光层设置于该第一半导体层上；

一第二半导体层，该第二半导体层设置于该发光层上；以及

一第一电极，该第一电极设置于该第二半导体层上；

其中，当上述每两个相邻突出体的两底部之间最短的距离为0时，上述每两个相邻突出体的两底部之间为互相连接。