[发明专利]用于部件填充的半导体反流处理

权利要求书

1.一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)获得包括部件的工件；

(b)在8到11的范围内的pH下，使用至少一个铜络合物将第一共形导电层电化学沉积在所述部件中，所述至少一个铜络合物选自由铜乙二胺、柠檬酸铜、酒石酸铜和尿素铜组成的群组；和

(c)热处理所述工件以使所述第一共形导电层在所述部件中反流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中热处理所述工件的步骤减少所述部件填充中的空隙。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：在沉积所述第一共形导电层之前，将阻挡层沉积在所述部件中。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：在沉积所述第一共形导电层之前，将导电种晶层沉积在所述部件中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中用于所述种晶层的金属选自由以下各物组成的群组：铜、钴、镍、金、银、锰、锡、铝、钌和以上各物的合金。

6.根据权利要求1所述的方法，其中用于所述第一共形导电层的金属选自由以下各物组成的群组：铜、钴、镍、金、银、锰、锡、铝、和以上各物的合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过化学气相沉积或通过原子层沉积来电化学沉积所述第一共形导电层。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：在所述第一共形导电层之后沉积第二共形导电层，并且热处理所述工件以使所述第二共形导电层反流。

9.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：在所述第二共形导电层之后沉积第三共形导电层，并且热处理所述工件以使所述第三共形导电层反流。

10.根据权利要求4所述的方法，其中所述种晶层选自由以下各物组成的群组：种晶、二次种晶、和种晶与衬垫的堆叠膜。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所反流的第一共形导电层部分地或者完全地填充所述部件。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：将覆盖层沉积在所反流的第一共形导电层上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在酸性化学品中沉积所述覆盖层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中热处理温度为在100℃到500℃的范围内。

15.根据权利要求1所述的方法，其中部件直径为小于30nm。

16.根据权利要求1所述的方法，其中与没有通过热处理所述工件的步骤形成的工件相比，经过所述热处理的工件具有大于0到40％的范围内的电阻值降低。

17.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一共形导电层直接沉积在所述阻挡层上。

18.一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)获得包括部件的工件；

(b)将阻挡层沉积在所述部件中；

(c)在所述阻挡层之后将第一导电层电化学沉积在所述部件中，其中所述第一导电层为种晶层；

(d)在所述第一导电层之后，在8到11的范围内的pH下，使用至少一个铜络合物将第二导电层电化学沉积在所述部件中，所述至少一个铜络合物选自由铜乙二胺、柠檬酸铜、酒石酸铜和尿素铜组成的群组，其中所述第二导电层为共形导电层；和

(e)使所述工件退火以使所述第二导电层在所述部件中反流。

19.一种微电子工件，所述微电子工件包括：

(a)至少一个部件，所述至少一个部件具有小于30nm的尺寸；和

(b)实质无空隙的导电层，所述实质无空隙的导电层设置在所述部件中，其中所述实质无空隙的导电层通过如下步骤形成：在8到11的范围内的pH下，使用至少一个铜络合物将第一共形导电层电化学沉积在所述部件中，所述至少一个铜络合物选自由铜乙二胺、柠檬酸铜、酒石酸铜和尿素铜组成的群组；和使所述工件退火以使所述第一共形导电层在所述部件中反流。