[发明专利]有源矩阵有机发光二极管面板的驱动方法及像素单元

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示技术，尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板的驱动方法及像素单元。

背景技术

有机发光二极管面板是指一种利用有机半导体材料制成的、用直流电压驱动的薄膜发光器件。OLED发光原理是用氧化铟锡（ITO）透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，经过辐射而发出可见光。

有机发光二极管面板的驱动方式可分为两种类型：无源矩阵有机发光二极管面板（Passive Matrix Organic Light Emitting Diode，PMOLED）和有源矩阵有机发光二极管面板（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）。

相比传统的薄膜晶体管液晶显示面板（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD），有源矩阵有机发光二极管面板（AMOLED）具有反应速度较快、对比度更高、视角较广、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等特点，其通过在每个像素中集成薄膜晶体管（TFT）和电容，并由电容器维持电压的方法进行驱动，可以实现大尺寸以及高分辨率，因此被称为下一代显示技术，目前已经受到大部分显示技术开发商的青睐。

有源矩阵有机发光二极管面板由驱动电路驱动发光。请参阅图1，现有的2T1C（2TFT1CAP）驱动电路由两个晶体管TFT和一个储存电容C100组成，其中，一个晶体管M100为开关管，另一个晶体管M200为驱动管。晶体管M100由行扫描线信号提供单元V_scan控制，以用于控制数据电压V_data的输入；晶体管M200用于控制有机发光二极管发光，储存电容C100用于为晶体管M200的栅极提供偏置及维持电压。

单个扫描周期内该驱动电路工作时段分为两个部分：第一部分为显示数据写入时间t1，在显示数据写入时间t1内，行扫描线信号提供单元V_scan为高电平，此时晶体管M100工作在导通状态，数据电压V_data经过M100管的漏极与源极，储存到储存电容C100上，该数据电压V_data同时作用在晶体管M200的栅极上，使得晶体管M200工作在饱和状态下，驱动有机发光二极管发光；第二部分为显示维持时间t2，行扫描线信号提供单元V_scan为低电平，晶体管M100处于截止状态下，漏极与源极之间的通道被关断，数据电压V_data也就不能传到晶体管M200的栅极，即储存电容C100的两端。此时，储存电容C100两端由于晶体管M100的关断而没有了释放电荷的通路，保持在晶体管M100截止前的状态，使得晶体管M200仍处在饱和状态下，继续维持有机发光二极管发光，也就是说有机发光二极管的发光在第二部分一直保持不变，该状态一直持续到晶体管M100被再次选通。

在上述有源矩阵有机发光二极管面板驱动方法中，有机发光二极管的发光亮度为：亮度=电流×OLED发光效率，其中，电流为流过该有机发光二极管的电流，其大小为：电流=k（V_gs-V_th）²=k（V_DD-V_data-V_th）²，其中，k为与晶体管M200自身结构和工艺有关的常数，V_gs为晶体管M200的栅极与源极之间的电压差，V_th为晶体管M200的阈值电压，V_DD为驱动电压提供单元提供的电压。由此可见，有源矩阵有机发光二极管面板的发光亮度由数据电压V_data的大小来控制，借由不同的V_gs使晶体管M200产生不同大小的电流，来实现不同的灰阶度。如图2所示，其为有源矩阵有机发光二极管面板的现有驱动方法中纯时间控制灰阶的时间比例示意图，该方法只是利用时间来控制灰阶，对储存电容C100的最短充电时间为60ns。然而，该种控制方法容易使得晶体管M200的驱动电流发生变异，从而导致有源矩阵有机发光二极管面板的亮度均匀性差。

发明内容