[发明专利]硅片刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅片刻蚀方法，用于对放置于反应腔室中静电卡盘之上的硅片进行深硅刻蚀工艺，其特征在于，所述深硅刻蚀工艺为刻蚀反应和侧壁钝化反应始终同时进行，所述方法包括如下步骤：

A、向反应腔室中通入制程气体，所述制程气体包括刻蚀气体、侧壁钝化气体和含氢气体，所述含氢气体占所述制程气体的比例低于50％；

B、调节所述反应腔室底部的静电卡盘的温度为-50至50摄氏度；以及向所述反应腔室施加射频功率，以产生等离子体对所述硅片同时进行所述刻蚀工艺与所述侧壁钝化工艺，其中所述刻蚀气体产生F离子的等离子体，所述含氢气体产生H离子的等离子体。

2.如权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述含氢气体包括如下气体中的至少一种：

CH₄；

C₄H₁₀；

H₂；

以及CH_xF_y，其中，x和y均为正整数。

3.如权利要求2所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述制程气体中还包括惰性气体。

4.如权利要求3所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气。

5.如权利要求2所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括SF₆。

6.如权利要求5所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁钝化气体包括：

O₂和O₃中的至少一种；以及

SiF₄和SiCl₄中的至少一种。

7.如权利要求6所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁钝化气体为O₂和SiF₄。

8.如权利要求7所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体中的SF₆流量为500-2000SCCM，O₂流量为50-300SCCM，SiF₄流量为200-600SCCM。

9.如权利要求8所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述反应腔室中制程气体压力为20-150mTorr。