[发明专利]超浅结的制造有效
| 申请号： | 201310150852.4 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972060B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王立廷;聂俊峰;姚松伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超浅结 制造 | ||
1.一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤：
通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域；
通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入掺杂物；以及
热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的所述掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入步骤的掺杂物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择注入的所述掺杂物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在经过注入的所述非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行所述热处理步骤。
6.一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤：
通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域；
通过执行第一单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物；
通过执行第二单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第二掺杂物；以及
热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入的掺杂物。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、尖峰退火、快速退火或激光退火步骤。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择所述第一掺杂物。
10.一种在半导体衬底中提供具有激活的掺杂物的超浅结的方法，所述方法包括以下步骤：
在所述半导体衬底中形成非晶化区域；
通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物；以及
激活所述第一掺杂物，其中，所述激活包括再结晶所述非晶化区域，
其中，在经过注入的所述结晶区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行激活所述第一掺杂物的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310150852.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水泥管模具承口托环的清理装置
- 下一篇：一种陶瓷灯座成型机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
