[发明专利]封装方法及封装半导体器件

权利要求书

1.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：

在设置在载体上的第一种子层上形成多个第一接触焊盘；

在所述多个第一接触焊盘的上方形成布线结构；

在所述布线结构上方形成第二种子层，并且所述第二种子层电连接至所述布线结构；

在所述第二种子层的上方形成多个第二接触焊盘，并且所述多个第二接触焊盘电连接至所述第二种子层，所述多个第二接触焊盘包括焊料层和位于所述焊料层上面的镍层，所述镍层物理接触所述焊料层和所述第二种子层，所述焊料层物理接触所述第二种子层；

将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组；

将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组，所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型；以及

移除所述载体。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述多个第一接触焊盘中的每一个上都形成导电球。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第一封装半导体器件、所述第二封装半导体器件和所述布线结构上方形成模塑料。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括减小所述模塑料的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个第一接触焊盘包括在所述载体上方形成所述第一种子层，在所述第一种子层上方形成第一绝缘材料，图案化所述第一绝缘材料，以及将第一导电材料镀在所述第一种子层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述布线结构包括形成再分布层(RDL)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述再分布层包括：在图案化的所述第一绝缘材料和所述第一导电材料上方形成第三种子层，在部分所述第三种子层的上方镀第二导电材料，移除部分所述第三种子层，以及在所述第一绝缘材料和所述第二导电材料上方形成第二绝缘材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述多个第二接触焊盘包括在部分所述第二导电材料的上方形成所述多个第二接触焊盘。

9.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体上方形成第一种子层；

在所述第一种子层上方形成第一绝缘材料；

图案化所述第一绝缘材料以限定多个第一接触焊盘的图案；

将第一导电材料镀在所述第一种子层上以形成所述多个第一接触焊盘；

在所述第一导电材料和所述第一绝缘材料上方形成第二种子层；

在所述第二种子层上方形成第一光刻胶层；

图案化所述第一光刻胶层以限定布线结构；

将第二导电材料镀在所述第二种子层的露出部分上；

移除所述第一光刻胶层；

在所述第二导电材料和所述第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料；

图案化所述第二绝缘材料以限定多个第二接触焊盘的图案；

在图案化的所述第二绝缘材和所述第二导电材料的露出部分上方形成第三种子层；

在所述第三种子层上方形成第二光刻胶层；

图案化所述第二光刻胶层以进一步限定所述多个第二接触焊盘的图案；

将第三导电材料镀在所述第三种子层的露出部分上以形成所述多个第二接触焊盘；

将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组；

将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组，所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型；以及

移除所述载体。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括将多个所述第二封装半导体器件连接至所述第二接触焊盘中的多个第二组，其中，多个所述第二封装半导体器件中的每一个都包括相对于多个所述第二封装半导体器件中的其他器件不同的封装类型。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，镀所述第三导电材料包括镀焊料，并且连接所述第一封装半导体器件和连接所述第二封装半导体器件包括回流所述焊料。