[发明专利]记忆装置及其制造方法

权利要求书

1.一种记忆装置，其特征在于，其包括：

一基板，具有一凹槽；

一记忆材料层，形成于该凹槽的一侧壁上；

一第一介电层、一第一栅极层和一第二栅极层，填充于该凹槽中，其中该第一介电层是形成于该第一栅极层和该第二栅极层之间；以及

一掺杂条，形成于该基板内并邻接于该记忆材料层；

其中该第一栅极层延伸的方向垂直于该掺杂条延伸的方向，该记忆装置的字线的宽度以所述第一栅极层的高度定义，所述第一栅极层的高度定义为垂直于该第一栅极层延伸的方向和该掺杂条延伸的方向。

2.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于，其中该掺杂条包括多个源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于其中该基板更具有至少一长凹槽，该掺杂条形成于该长凹槽的表面之内。

4.根据权利要求3所述的记忆装置，其特征在于，其还包括：

一第二介电层，该第二介电层形成于该长凹槽中。

5.一种记忆装置的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

提供一基板，其中该基板具有一凹槽；

形成一记忆材料层于该凹槽的一侧壁上；

形成一第一介电层、一第一栅极层和一第二栅极层填充于该凹槽中，其中该第一介电层是形成于该第一栅极层和该第二栅极层之间；以及

形成一源极/漏极区于该基板内并邻接于该记忆材料层；

其中该第一栅极层延伸的方向垂直于该源极/漏极区延伸的方向，该记忆装置的字线的宽度以所述第一栅极层的高度定义，所述第一栅极层的高度定义为垂直于该第一栅极层延伸的方向和该源极/漏极区延伸的方向。

6.根据权利要求5所述的记忆装置的制造方法，其特征在于，其中形成该第一介电层、该第一栅极层和该第二栅极层的步骤包括：

形成一导电材料层；

蚀刻该导电材料层以形成一间隙，该间隙将该导电材料层分隔开成两个部分；

形成一介电材料层于该导电材料层上及该间隙中；以及

研磨该介电材料层及该导电材料层以形成该第一介电层、该第一栅极层和该第二栅极层。

7.根据权利要求5所述的记忆装置的制造方法，其特征在于，其中形成该源极/漏极区于该基板内的步骤包括：

对该基板进行一离子布植工艺以形成该源极/漏极区于该基板内。

8.根据权利要求5所述的记忆装置的制造方法，其特征在于，其还包括形成一第二介电层于该源极/漏极区上。

9.一种记忆装置的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

提供一基板，其中该基板具有多个凹槽；

形成多个记忆材料层分别于各该凹槽的一侧壁上；

形成多个第一介电层、多个第一栅极层和多个第二栅极层，其中各该第一介电层是形成于各该第一栅极层和各该第二栅极层之间并填充于各该凹槽中；以及

形成多个掺杂条于该基板内并邻接于该些记忆材料层；

其中该些第一栅极层延伸的方向垂直于该些掺杂条延伸的方向。

10.根据权利要求9所述的记忆装置的制造方法，其特征在于，其中形成该些掺杂条于该基板内的步骤包括：

对该基板进行一离子布植工艺以形成该些掺杂条于该基板内。