[发明专利]大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法

权利要求书

1.一种大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，包括以下步骤：

1)把高纯的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶于正十二烷与氯苯的混合溶剂中，配成浓度0.2～0.8wt.％的溶液；

2)将处理后的洁净硅片衬底水平放置于培养皿中，并将培养皿放于温度设定为25℃的热台上用以制造恒定的温度T，用移液枪吸取20μL上述浓度的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶液滴在衬底表面，用封口膜将培养皿密封，并将培养皿盖上盖子，随着溶剂的蒸发，溶质在溶液中央贴着衬底成核、慢慢长大并结晶，最后在衬底表面生长出尺寸可达几毫米的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体。

2.根据权利要求1所述的大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，其特征在于所述步骤1)中正十二烷与氯苯的体积比为1∶2.5。

3.根据权利要求1所述的大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，其特征在于所述步骤1)中使用的高纯6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯纯度≥99％。

4.根据权利要求1所述的大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，其特征在于所述配成的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶液浓度为0.4～0.6wt.％。

5.根据权利要求4所述的大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，其特征在于所述配成的6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶液浓度为0.6wt.％。

6.根据权利要求1所述的大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，其特征在于所述步骤2)洁净硅片衬底的处理步骤包括：

1)切取尺寸为1.5cm*1.5cm的表面覆盖有一层二氧化硅的n型掺杂单晶硅基片，用氮气气枪将硅片表面吹净，先加入20mL丙酮将硅片超声清洗7min，再换用同样体积的2-丙醇对硅片再次进行超声清洗，时间为7min，将硅片从2-丙醇中取出，并用气枪硅片表面的2-丙醇及灰尘吹掉；

2)用紫外臭氧清洗机对硅片表面照射15分钟以清除表面残余的有机吸附分子，再将清洁的硅片浸入10mM正辛基三氯硅烷的甲苯溶液中，通过水浴的方式将溶液温度控制在60-70℃，保持15分钟，用来对硅片表面进行化学修饰，在二氧化硅层上形成高疏水性的烷基单分子层。