[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs 晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0.5~10μm。

2.根据权利要求1所述的GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：所述的制作方法具体包括：

1）采用P++双面抛光GaAs衬底，在其中一面键合0.5~10μm的N++ InP层，GaAs衬底与InP层间的接触形成隧道结；

2）在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、GaAs电池、第二隧道结、GaInP电池和GaAs接触层；

3）在InP层上依次生长InP缓冲层、InGaAsP电池、第一隧道结、InGaAs电池和InGaAs接触层；

4）分别制作正、负电极和减反膜，最终形成太阳能电池。

3.一种权利要求1或2所述方法制作的GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池。