[发明专利]输入缓冲器

说明书

技术领域

本发明涉及一种输入缓冲器，特别是涉及一种低功率消耗的输入缓冲器。

背景技术

在现今高阶的互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)工艺(例如28nm工艺)中，与先前的工艺(例如40nm工艺)比较起来，MOS晶体管的栅极氧化层崩溃电压(break-down voltage)较低。对于以高阶工艺来制造的元件而言，MOS晶体管的栅极与源极/漏极之间的电压差(Vgs或Vgd)需要维持低于1.8伏(V)。高电压元件无法以高阶工艺来制造。举例来说，3.3V元件无法以28nm工艺来制造。此外，在高阶的集成电路(integrated circuit，IC)中，期望使用较低的供应电压，例如1V，以节省功率。然而，一些周边元件或其他集成电路可能仍操作在高电压下，例如3.3V或2.5V。由周边元件或其他集成电路所产生的信号可能具有高电压电平。当设计来以低供应电压来工作的MOS晶体管接收到这些电压时，MOS则无法适当的操作，且这些MOS晶体管可能会被高电压电平所损坏。因此，期望提供一种电路来做为输入缓冲器，用以在集成电路的内部电路接收这些电压之前将高电压为电平转换为低电压电平。然而，现有的输入缓冲电路却具有导致漏电流的路径，这增加了功率消耗，且对于便携式装置而言是格外关键的。

发明内容

因此，期望提供一种输入缓冲器，当具有高电平的外部信号输入时，能避免漏电流的发生。

本发明提供一种输入缓冲器，用以通过输入端接收输入信号且在输出端产生输出信号。此输入缓冲器包括输入电路以及电平移位电路。输入电路耦接输入端。输入电路接收输入信号以及一第二供应电压，并根据输入信号以及该第二供应电压来产生缓冲信号。电平移位电路耦接输入电路以及输出端。电平移位电路接收第一供应电压以及缓冲信号，且根据缓冲信号以及第一供应电压在输出端上产生输出信号。输入信号的第一高电平高于第一供应电压的电压电平。当输入信号处于第一高电平时，输入电路产生其电压电平介于输入信号的第一高电平与第一供应电压的电压电平之间的缓冲信号，其中，该第二供应电压的电压电平介于该输入信号的该第一高电平与该第一供应电压的电压电平之间。

本发明还提供一种输入缓冲器，用以通过输入端接收输入信号且在输出端产生输出信号。此输入缓冲器包括第一晶体管以及电平移位电路。第一晶体管具有接收输入信号的控制电极、接收第一供电电压的输入电极、以及输出缓冲信号的输出电极。电平移位电路耦接第一晶体管的输出电极以及输出端。电平移位电路接收第二供应电压以及缓冲信号，且根据缓冲信号以及第二供应电压在输出端上产生输出信号。输入信号的第一高电平高于第一供应电压的电压电平以及第二供应电压的电压电平。第一供应电压的电压电平介于输入信号的第一高电平与第二供应电压的电压电平之间。

附图说明

图1表示根据本发明一实施例的输入缓冲器。

图2表示根据本发明另一实施例的输入缓冲器。

图3表示主要信号的波形。

附图符号说明

1～输入缓冲器；

10～输入电路；

11～电平移位电路；

C10～电容器；

GND～参考电压；

M1…M3～晶体管；

N10～节点；

OVDD～供应电压；

S10～缓冲信号；

SIN～输入信号；

SOUT～输出信号；

TIN～输入端；

TOUT～输出端；

VDD～供应电压。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并结合附图详细说明如下。