[发明专利]一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置

权利要求书

1.一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，包括：一个由顶板、侧壁和底板构成圆柱形的封闭壳体，该封闭壳体与下面的MOCVD反应室连为一体，封闭壳体的内部被中层板分隔成两个独立且相互密封的密封腔和水冷腔，密封腔位于中层板的上方，位于中层板下方、与MOCVD反应室相邻的是水冷腔，在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管，特征是：密封腔被竖直的隔离体分隔成两个以上独立且呈扇形的混气室，在每个混气室对应的侧壁或顶板上分别安装有一条以上用于输运反应气体的混气室进气管道；竖直的进气细孔从上向下依次贯穿中层板、通过水冷腔、贯穿底板，连通各个混气室和MOCVD反应室。

2.根据权利要求1所述的多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，其特征在于：隔离体为实心的隔板。

3.根据权利要求1所述的多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，其特征在于：隔离体为中空的隔离腔，在隔离腔的侧壁或顶板上安装有一条以上进气管道，在与隔离腔相接的中层板上分布有进气细孔。

4.根据权利要求1所述的多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，其特征在于：进气细孔在中层板上均匀分布。

5.根据权利要求1所述的一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，其特征在于：每个混气室的体积相同，且混气室的个数为偶数。

6.根据权利要求1所述的一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，其特征在于：进气细孔的出口与MOCVD反应室中的衬底的垂直距离在5mm-100mm之间。