[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一永久基板，具有一接合面；

一第一图案化金属层，形成一第一金属块阵列，配置在该永久基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；

一第二图案化金属层，形成一第二金属块阵列，对应配置在该第一图案化金属层上，其中该第二图案化金属层暴露出该第一图案化金属层所暴露出的该接合面，且该第二图案化金属层与该第一图案化金属层的接触面形成共晶结合，其中该第一图案化金属层与该第二图案化金属层实质上重合；以及

一半导体磊晶层，配置在该第二图案化金属层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一图案化金属层与该第二图案化金属层的材质是各选自于金、锡、铜、铟与上述材料的合金所构成的族群。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一图案化金属层暴露出部分该接合面的面积与该接合面的总面积的比值介于0.5至0.9之间。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一图案化金属层包括多个第一金属，而该第二图案化金属层包括多个第二金属，该些第二金属与对应的该些第一金属具有相同形状。

5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，该些第一金属位于该接合面的周围。

6.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，各该第一金属的形状与各该第二金属的形状为矩形，且各该第一金属的侧边与各该第二金属的侧边皆与该永久基板的侧边切齐。

7.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，该些第一金属具有相同的形状。

8.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

一透光材料层，填充在该些第一金属之间的间隙与该些第二金属之间的间隙，且至少部分覆盖该第一图案化金属层所暴露出的该接合面。

9.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，该透光材料层的材质是选自于苯并环丁烯、环氧树脂、氧化铝、氧化硅、氮化硅、其他有机黏结材料与上述的组合所构成的族群。

10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该半导体磊晶层包括一第一型半导体层、一第二型半导体层以及一发光层，该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间，而该第二型半导体层配置在该第二图案化金属层与该发光层之间。

11.根据权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

一第一电极，配置在该第一型半导体层上；以及

一第二电极，配置在该第二型半导体层上，其中该第一图案化金属层的位置与该第一电极的位置及该第二电极的位置对应设置。