[发明专利]基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘无效

专利信息
申请号: 201310151785.8 申请日: 2013-04-26
公开(公告)号: CN103211466A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 惠晶;谢林利 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: A47G23/08 分类号: A47G23/08;H02P13/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214122 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 环形 磁场 驱动 餐桌 电动 转盘
【权利要求书】:

1.一种基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,包括底座(2)及位于所述底座(2)上的转盘本体(1);其特征是:所述转盘本体(1)与底座(2)之间设有轨道环(3),所述轨道环(3)位于底座(2)上,且轨道环(3)上设有若干均匀分布的钢珠(4),转盘本体(1)通过钢珠(4)设置于底座(2)的上方,并能通过钢珠(4)在底座(2)上转动;所述轨道环(3)的内侧设置若干环形凹铁芯(5),所述环形凹铁芯(5)位于底座(2)上,环形凹铁芯(5)内嵌置有三相线圈绕组(6),所述三相线圈绕组(6)与旋转控制器(8)电连接,所述旋转控制器(8)与开关(9)电连接;环形凹铁芯(5)的上方设有N极、S极相间的凸极式永磁体(7),所述永磁体(7)固定安装于转盘本体(1)的下表面;旋转控制器(8)根据开关(9)输入的开关信号控制三相线圈绕组(6)的导通,以使得三相线圈绕组(6)与永磁体(7)配合产生的作用力推动转盘本体(1)在底座(2)上转动。

2.根据权利要求1所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述三相线圈绕组(6)采用Y形连接。

3.根据权利要求1所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述旋转控制器(8)包括与三相线圈绕组(6)连接的主电路(13),所述主电路(13)与主驱动电路(12)电连接,所述主驱动电路(12)与处理控制电路(11)的输出端连接,所述处理控制电路(11)与开关驱动电路(10)的输出端连接。

4.根据权利要求3所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述主电路(13)包括整流电路及全桥逆变电路,所述整流电路包括第七二极管(D7),所述第七二极管(D7)的阳极端与第十二极管(D10)的阴极端连接,第七二极管(D7)的阴极端与第八二极管(D8)的阴极端、第九二极管(D9)的阴极端以及第一电感(L1)的第一端连接,第十二极管(D10)的阳极端与第十一二极管(D11)的阳极端及第十二二极管(D12)的阳极端连接,第十一二极管(D11)的阴极端与第八二极管(D8)的阳极端连接,第十二二极管(D12)的阴极端与第九二极管(D9)的阳极端连接;第一电感(L1)的第二端与第一电容(C1)的一端及全桥逆变电路中第一MOS管(VT1)的漏极端连接,第一电容(C1)的另一端与第十二二极管(D12)的阳极端及全桥逆变电路中的第四MOS管(VT4)的源极端连接;

第四MOS管(VT4)的漏极端与第一MOS管(VT1)的源极端连接,第四MOS管(VT4)的源极端与第六MOS管(VT6)的源极端及第二MOS管(VT2)的源极端连接,第三MOS管(VT3)的漏极端与第一MOS管(VT1)的漏极端及第五MOS管(VT5)的漏极端连接,第六MOS管(VT6)的漏极端与第三MOS管(VT3)的源极端连接,第二MOS管(VT2)的漏极端与第五MOS管(VT5)的源极端连接,第一MOS管(VT1)的栅极端、第二MOS管(VT2)的栅极端、第三MOS管(VT3)的栅极端、第四MOS管(VT4)的栅极端、第五MOS管(VT5)的栅极端及第六MOS管(VT6)的栅极端分别与主驱动电路(12)对应的输出端连接;第一MOS管(VT1)的源极端与三相线圈绕组(6)中第一绕组的一端连接,第三MOS管(VT3)的源极端与三相线圈绕组(6)中第二绕组的一端连接,第五MOS管(VT5)的源极端与三相线圈绕组(6)中第三绕组的一端连接,第一绕组的另一端、第二绕组的另一端及第三绕组的另一端相互连接。

5.根据权利要求4所述的基于环形磁场驱动的餐桌电动转盘,其特征是:所述第一MOS管(VT1)的漏极端与第一二极管(D1)的阴极端连接,第一二极管(D1)的阳极端与第一MOS管(VT1)的源极端连接,第二MOS管(VT2)的漏极端与第二二极管(D2)的阴极端连接,第二二极管(D2)的阳极端与第二MOS管(VT2)的源极端连接,第三MOS管(VT3)的漏极端与第三二极管(D3)的阴极端连接,第三二极管(D3)的阳极端与第三MOS管(VT3)的源极端连接;第四MOS管(VT4)的漏极端与第四二极管(D4)的阴极端连接,第四二极管(D4)的阳极端与第四MOS管(VT4)的源极端连接,第五MOS管(VT5)的漏极端与第五二极管(D5)的阴极端连接,第五二极管(D5)的阳极端与第五MOS管(VT5)的源极端连接,第六MOS管(VT6)的漏极端与第六二极管(D6)的阴极端连接,第六二极管(D6)的阳极端与第六MOS管(VT6)的源极端连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学,未经江南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310151785.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top