[发明专利]一种含赤霉素的植物生长调节剂及其制备方法有效
申请号: | 201310152106.9 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103238600A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 陈恒坚;王陈杰;余德勉 | 申请(专利权)人: | 上海悦联生物科技有限公司 |
主分类号: | A01N43/12 | 分类号: | A01N43/12;A01P21/00 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 201512 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 赤霉素 植物 生长 调节剂 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种农药组合物,具体涉及一种含赤霉素的植物生长调节剂及其制备方法。
背景技术
赤霉素(gibberellins)是一类具有高度生理活性的化学物质,对植物的生长发育和一些生理过程都有很大的影响,是已公认的五种植物内源激素中种类最多、生理功能最广的一种。
被分离出的赤霉素经化学鉴定都是由四个异戊二烯形成的四个碳环(A、B、C、D)的二萜,具有19或20个碳原子。赤霉素的基本结构是赤霉素烷,由于碳环上双键和羟基数目以及位置的不同,内酯环的有无,可形成不同活性和功能的赤霉素。其中以赤霉酸(GA3)的应用最为广泛,赤霉酸(GA3)是一种双萜内酯天然有机化合物,呈白色结晶粉末,显微镜下显示为八面体,双锥形结晶体,分子式C19H22O6,分子量346,熔点233~235℃。其结构含有四个环,一个内酯环。八个手性碳,二个羟基,二个双键和一个羧基。其结构式如下:
目前,一般应用的所谓“赤霉素”,主要是“赤霉酸”(GA3)。赤霉酸(GA3)易结晶、结块,在水中溶解性差,当产品中赤霉酸(GA3)的含量超过50%以后,结晶和结块的机率会大大提高,现市场销售的75%赤霉酸(GA3)结晶粉在使用时需要先用少量的酒精或白酒溶解后再兑水稀释,在稀释过程中可能因稀释不当出现赤霉酸(GA3)重结晶,因此有效成分得不到很好的应用,从而影响药效,所以目前大部分赤霉酸(GA3)制剂中的中赤霉酸含量在50%左右。
发明内容
为克服现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供一种含赤霉素的植物生长调节剂,赤霉酸(GA3)的含量高,能有效的降低赤霉酸(GA3)在水中的分解速度,提高植物对有活性成分赤霉酸(GA3)的有效吸收。
本发明的另一目的在于提供一种含赤霉素的植物生长调节剂的制备方法,简单易操作,保证赤霉酸(GA3)的生物活性的同时提高制剂在水中的溶解特性。
为实现上述目的本发明所采用的技术方案如下:
一种含赤霉素的植物生长调节剂,其是由以重量百分比计的以下组分制备而成:
赤霉酸(GA3) 65%-85%;
pH调节剂2%-15%;
分散剂0.5%-5%;
润湿剂0.5%-5%;
崩解剂0.5%-10%;
抗氧化剂 0%-0.5%;
粘结剂0.5%-10%;
填料0%-30%;上述各组分的重量百分比之和等于100%,所述赤霉酸的粒径为10-20μm。
作为本发明的一种优选的方案所述的含赤霉素的植物生长调节剂,其是由以重量百分比计的以下组分制备而成:
赤霉酸(GA3) 75%-80%;
pH调节剂4%-10%;
分散剂0.5%-5%;
润湿剂0.5%-5%;
崩解剂0.5%-10%;
抗氧化剂 0.1%-0.3%;
粘结剂0.5%-10%;
填料0%-15%;上述各组分的重量百分比之和等于100%,所述赤霉酸的粒径10-20μm。
本发明所述的pH调节剂选自磷酸二氢盐中的一种,优选自磷酸二氢钾或磷酸二氢钠。
本发明所述的分散剂选自木质素磺酸盐、丙烯酸共聚物盐、聚羧酸盐、萘磺酸盐甲醛缩合物、烷基苯磺酸酯中的一种或两种以上以任意比混合。
本发明所述的润湿剂选自十二烷基磷酸盐、十二烷基苯磺酸盐、脂肪醇聚氧乙烯醚、酚磺酸盐甲醛缩合物、聚磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚硫酸盐中的一种或两种以上以任意比混合。
本发明所述的崩解剂为尿素、碳酸钠、碳酸氢钠、环己酮缩合钠盐中的一种或两种以上以任意比混合;所述抗氧化剂为特丁基对苯二酚、2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、叔丁基对羟基茴香醚中的一种或两种以上以任意比混合;所述粘结剂为淀粉、羧甲基纤维素钠、阿拉伯树胶中的一种或两种以上以任意比混合;所述填料为膨润土、白炭黑、葡萄糖、淀粉、硅藻土、陶土、高岭土、氯化钠、氯化钾、硫酸钠、乳糖中的一种或两种以上以任意比混合。
本发明所述植物生长调节剂可加工成可溶性粉剂、可溶性粒剂、可溶性片剂中的一种。
一种含赤霉素的植物生长调节剂的制备方法,其包括以下步骤:将所述原料组分投入混合机混合后经气流粉碎,真空低温干燥后制成可溶性粉剂或可溶性粒剂或可溶性片剂;其中,低温真空干燥温度为40-50℃,真空度不小于-0.08MPa。
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