[发明专利]蚀刻膏、蚀刻膏的应用以及利用蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法

权利要求书

1.一种蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏包括：酸性蚀刻剂、无机金属盐、酸性介质氧化剂、填料、水溶性聚合物、保湿稀释剂、水。

2.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏的各组分的重量百分比如下：

酸性蚀刻剂：0~30%；

无机金属盐：0~20%；

酸性介质氧化剂：0~30%；

填料：0~20%；

水溶性聚合物：2~25%；

保湿稀释剂：10~20%；

水：40~80%。

3.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述酸性蚀刻剂包括草酸、硝酸、甲酸、乙酸、磷酸、盐酸、硫酸中的一种或多种；所述无机金属盐包括硝酸铁、氯化铁、硝酸钾、硝酸钠、氯化钠、氯酸钠中的一种或多种；所述酸性介质氧化剂包括过氧化氢、过氧乙酸、重铬酸钠、铬酸、硝酸、高锰酸钾、过硫酸铵中一种的或多种；所述填料包括二氧化硅、滑石粉、膨润土、炭黑、面粉、蔗糖中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述水溶性聚合物包括改性纤维素、聚乙烯醇、聚乙二醇、松香改性树脂、阿拉伯树胶、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、淀粉、水性聚氨酯中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述保湿稀释剂包括乙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、丁醇、丁二醇、甘油中的一种或多种。

6.如权利要求2所述的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏还包括添加剂，所述添加剂为水性润湿剂或者水性消泡剂，所述添加剂在蚀刻膏中的重量百分比为0.1~5%。

7.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏的各组分的质量分数百分比如下：

醋酸：10%；

硝酸铁：10%；

炭黑：0.5%；

羟丙基甲基纤维素：3%；

聚乙二醇：10%；

甘油：10%；

异丙醇：10%；

水：46%；

消泡剂：0.5%。

8.如权利要求1所述的蚀刻膏，其特征在于：所述蚀刻膏的各组分的质量分数百分比如下：

双氧水：20%；

醋酸：5%；

二氧化硅：5%；

羧甲基纤维素：4%；

聚乙二醇：10%；

丙二醇：15%；

水：41%。

9.一种蚀刻膏的应用，其特征在于：该蚀刻膏直接用于蚀刻纳米银导电薄膜或纳米银导电玻璃，所述蚀刻膏为权利要求1至8项中任意一项所述的蚀刻膏。

10.一种利用蚀刻膏蚀刻纳米银导电材料的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

(a). 将权利要求1至8项中任意一项所述的蚀刻膏印制在纳米银导电材料上；

(b). 常温下放置2~15分钟；

(c). 将所述纳米银导电材料在60℃~130℃的温度下烘烤10分钟；

(d). 冲洗去除所述纳米银导电材料上残余的蚀刻膏。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述纳米银导电材料为纳米银导电薄膜或者纳米银导电玻璃；步骤(d)包括利用自来水或纯净水浸泡所述纳米银导电材料，然后冲洗去除残余的蚀刻膏，然后使用纯净水清洗，然后将所述纳米银导电材料风干或烘干。