[发明专利]一种电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料及其制备方法有效
申请号: | 201310152250.2 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103243234A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 黄家强;肖德成;刘家党;景龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市同方电子新材料有限公司;深圳市同方新源科技有限公司 |
主分类号: | C22C13/00 | 分类号: | C22C13/00;C22C1/03;B23K35/24 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 江裕强 |
地址: | 518110 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 封装 钎焊 系列 低银无铅钎 料及 制备 方法 | ||
1.一种电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料,其特征在于以占该低银无铅钎料的质量百分比计,包括如下组分:0.01%~1.0%的Ag、0.01%~1.0%的Cu、0.001%~0.1%的Si、0.001%~0.5%的Pr、0.002%~0.2%的Ge,余量为Sn。
2.根据权利要求1的电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料,其特征在于:Ag占该低银无铅钎料的质量百分比为0.01%~0.09%。
3.根据权利要求1的电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料,其特征在于:还包括占所述低银无铅钎料质量百分比0~0.8%的V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一种或两种以上。
4.制备权利要求1所述的电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料的方法,其特征在于包括如下步骤:
(a)分别在真空熔炼炉中制备出含Pr为1%wt ~15%wt的Sn-Pr中间合金和含Si为1%wt ~5%wt的Sn-Si中间合金,备用;其中Pr和Si的用量满足权利要求1所述的质量百分比 ;
(b)将KCl和LiCl的混合盐于500~550℃加热熔化后盖浇在真空熔炼炉内熔融锡的液面上,保温30~40分钟;
(c)将步骤(b)盖浇混合盐后得到的熔融锡升温到600~700℃,加入步骤(a)得
到的Sn-Si中间合金,搅拌均匀,保温30~40分钟,得到熔融 的Sn-Si合金;
(d)再将步骤(c)中熔融的Sn-Si合金降温到500~600℃,加入步骤(a)得到的Sn-Pr中间合金,均匀搅拌30~40分钟,得到熔融的Sn-Si-Pr合金;
(e)再将熔融的Sn-Si-Pr合金降温到400~500℃,加入满足所述质量百分比的Ag、
Cu和Ge,搅拌均匀,保温60~120分钟,得到熔融的Sn-Ag-Cu-Si-Pr-Ge合金静置出炉,浇注在模具中,凝固后去除表面的混合盐,制得Sn-Ag-Cu-Si-Pr-Ge 系列低银无铅钎料,即所述电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料。
5.根据权利要求4所述的制备电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料的方法,其特征在于步骤(b)所述混合盐中KCl和LiCl的质量百分比为1~3:1。
6.根据权利要求4所述的制备电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料的方法,其特
征在于:所述步骤(c)还加入占最终产品低银无铅钎料质量百分比0~0.8%的V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一种或两种以上,得到Sn-Si与V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P中的一种或两种以上元素的熔融合金。
7.根据权利要求6所述的制备电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料的方法,其特征在于:步骤(c)中所述V、Cr、Mn、Ni、Zr、Pd和P分别以含V为1%wt的Sn-V中间合金、含Cr为1%wt的Sn-Cr中间合金、含Mn为1%wt的Sn-Mn中间合金,含Ni为5%wt的Sn-Ni中间合金,含Zr为5%wt的Sn-Zr中间合金,含Pd为5%wt的Sn-Pd和含P为5%wt的Sn-P中间合金形式加入。
8.根据权利要求4所述的制备电子封装软钎焊用系列低银无铅钎料的方法,其特征在于所述的低银无铅钎料还进一步加工成钎料柱、钎料条、钎料丝、钎料球或钎料粉。
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