[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：薄膜晶体管TFT、数据线、栅线以及覆盖在所述TFT、数据线以及栅线之上的钝化层，其特征在于，还包括第一导电结构以及与所述第一导电结构相连的第二导电结构；

所述第一导电结构位于钝化层之上的所述TFT上方；所述第二导电结构位于钝化层之上的所述数据线和/或所述栅线上方。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括与所述第一导电结构以及所述第二导电结构均隔离设置的像素电极。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电结构以及所述第二导电结构均为与所述像素电极相同的导电材料。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电结构、第二导电结构以及所述像素电极均为ITO。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的隔垫物；

至少部分所述隔垫物与第一导电结构相对设置。

7.一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成包括有薄膜晶体管TFT、数据线、栅线及钝化层的图形，其特征在于，还包括

步骤S：在钝化层之上的所述TFT的上方制作第一导电结构的图形，以及在钝化层之上的所述数据线和/或栅线上方制作第二导电结构的图形，并使所述第一导电结构与所述第二导电结构相连。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S具体包括：

步骤S1：在钝化层上沉积一层导电材料；

步骤S2：通过构图工艺在位于所述TFT的上方的所述导电材料上形成第一导电结构的图形，以及位于所述数据线和/或栅线上方的所述导电材料上形成第二导电结构的图形。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在制作所述步骤S2的同时还在所述导电材料上形成像素电极的图形。

其中，所述像素电极与所述第一导电结构以及所述第二导电结构均隔离设置。

10.根据权利要求8或9所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的导电材料为ITO。