[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着信息技术社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长。为了满足这种需求，最近几种平板显示设备，如液晶显示设备（LCD）、有机发光（OLED）显示装置、等离子体显示装置（PDP）都得到了迅猛的发展。在平板显示装置中，液晶显示装置由于其重量低、体积小、能耗低的优点正在逐步取代冷阴极显示设备。

近年来随着液晶显示器的分辨率持续提升，耗电量也不断上升，为了符合节能环保的趋势，需要提升液晶显示器像素开口率。2010年9月1日公开的中国专利CN101819361A的技术方案是通过在像素区域内形成由透明导电薄膜构成的存储电极，形成存储电容在透明的存储电极上的结构，即存储电极为透明的ITO材质。通过使用透明的ITO材质，既可以保证充足的存储电容余量，又不会遮挡像素区域，有效提高显示器的像素的开口率和显示亮度，从整体上提高了TFT-LCD的显示质量。但当存储电极为透明的ITO材质时，在TFT-LCD阵列基板的制程中需单独一道光刻工艺制作，所以需要额外一道掩膜版。增加了光罩数量同时耗用材料，使生产成本增加并延长生产周期。

发明内容

发明目的：本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，在达到提升显示器的像素的开口率和显示亮度的同时，还具有制程简单和成本降低优点。

技术方案：本发明提供一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的扫描线和数据线，所述扫描线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括与扫描线相连接的栅极、与数据线相连接的源极、与像素电极相连接的漏极以及源极和漏极之间形成的薄膜晶体管的半导体层；所述像素区域内还形成有与所述像素电极一起构成存储电容的存储电极，所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的半导体层和所述的像素电极为金属氧化物IGZO、IZO或ZnO。

进一步，对所述的存储电极、所述的薄膜晶体管的源极、漏极和所述的像素电极进行离子注入处理；

进一步，所述的薄膜晶体管的半导体层、源极、漏极、以及所述的像素电极由同层金属氧化物在同一制程中形成；

进一步，所述的扫描线和所述的数据线由同层金属在同一制程中形成。

本发明还给出了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

步骤1、在玻璃基板上连续沉积金属氧化物层和金属层并涂布光刻胶；

步骤2、对经过上述步骤1处理的所述基板使用第一道Mask（光罩）对光刻胶进行曝光；

步骤3、对经过上述步骤2处理的所述基板进行光刻胶显影形成图案和沟道工艺，形成扫描线端子、扫描线、数据线端子、不连续的数据线、栅极以及存储电极；其中，栅极与扫描线相连接；

步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，对光刻胶进行灰化处理，将存储电极上方的光刻胶去除；

步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行光刻工艺，去除储存电极上方的金属，露出存储电极以及连接电极，存储电极与连接电极相连接；各像素间的存储电极通过连接电极相连接；

步骤6、去除经过所述步骤5处理的所述基板上的光刻胶并对该基板进行离子注入，使得存储电极和连接电极具有透明导体性质；

步骤7、对经过所述步骤6处理的所述基板上沉积绝缘层；

步骤8、对经过所述步骤7处理的所述基板使用第二道Mask对上述形成图案并进行光刻工艺，形成扫描线端子接触孔、数据线端子接触孔、数据线接触孔；

步骤9、在经过所述步骤8处理的所述基板上连续沉积金属氧化物层、绝缘层、以及涂覆光刻胶；

步骤10、对经过所述步骤9处理的所述基板使用第三道Mask对光刻胶进行曝光；

步骤11、对经过所述步骤10处理的所述基板进行光刻胶显影并进行光刻工艺，形成数据连接线和像素电极，各像素间的数据线通过数据线连接线相连接；

步骤12、对经过所述步骤11处理的所述基板进行灰化处理，保留位于栅极上方的金属氧化物上的光刻胶区域，去除其他区域以外的光刻胶，并进行光刻工艺，去除所述保留的光刻胶区域下方以外的绝缘层；

步骤13、对经过所述步骤12处理的所述基板进行离子注入，使像素电极以及位于栅极上方并于绝缘层下方的金属氧化物层的两侧的金属氧化物层具有透明导体特性。

进一步，在所述的步骤2和步骤10中使用的Mask分为完全透光区、部分透光区和完全不透光区。